模电 第四章要点.ppt

* ?n为导电沟道中自由电子运动的迁移率； Cox为单位面积的栅极电容； W 和 L分别为导电沟道的宽度和长度，W / L为宽长比。 * N沟道耗尽型MOSFET * 4.5.3　各种场效应管的比较以及场效应管与晶体管的对比 电路符号 特性曲线 * ［例4.5.1］判断图中场效应管的工作状态。 = IDSS，UDG = UDS - UGS = UDS = UDD - IDRD = 6 (V) - UGS(off) ，所以该场效应管工作在恒流区。图 (b) 中是P沟道增强型MOSFET，UGS = - 5 (V) UGS(th) ，所以该场效应管工作在恒流区或可变电阻区，UDG = UDD - IDRD - UGS = 4 (V) - UGS(th) ，所以该场效应管工作在可变电阻区。 解：图 (a) 中是N沟道JFET，UGS = 0 UGS(off) ，所以该场效应管工作在恒流区或可变电阻区，且ID * 一、方波，锯齿波发生器 4.5.5　场效应管应用电路举例 　　集成运放A1构成弛张振荡器，A2构成反相积分器。振荡器输出的方波uo1经过二极管D和电阻R5限幅后，得到uo2，控制JFET开关V的状态。当uo1为低电平时，V打开，电源电压E通过R6对电容C2充电，输出电压uo随时间线性上升；当uo1为高电平时，V闭合，C2通过V放电，uo瞬间减小到零。 * 二、取样保持电路 　　A1和A2都构成跟随器，起传递电压，隔离电流的作用。取样脉冲uS控制JFET开关V的状态。当取样脉冲到来时，V闭合。此时，如果uo1 uC则电容C被充电，uC很快上升；如果uo1 uC则C放电，uC迅速下降，这使得uC = uo1，而uo1 = ui，uo = uC ，所以uo = ui。当取样脉冲过去时，V打开，uC不变，则uo保持取样脉冲最后瞬间的ui值。 * 三、相敏检波电路 　　 因此前级放大器称为符号电路。 场效管截止 场效管导通 * 　　集成运放A2构成低通滤波器，取出uo1的直流分量，即时间平均值uo。uG和ui同频时，uo取决于uG和ui的相位差，所以该电路称为相敏检波电路。 * NPN晶体管 结型场效应管JEFT 增强型NMOSEFT 指数关系 平方律关系 * 场效应管和晶体管的主要区别包括： 　　晶体管处于放大状态或饱和状态时，存在一定的基极电流，输入电阻较小。场效应管中，JFET的输入端PN结反偏，MOSFET则用SiO2绝缘体隔离了栅极和导电沟道，所以场效应管的栅极电流很小，输入电阻极大。 　　晶体管中自由电子和空穴同时参与导电，主要导电依靠基区中非平衡少子的扩散运动，所以导电能力容易受外界因素如温度的影响。场效应管只依靠自由电子和空穴之一在导电沟道中作漂移运动实现导电，导电能力不易受环境的干扰。 　　场效应管的源极和漏极结构对称，可以互换使用。晶体管虽然发射区和集电区是同型的杂质半导体，但由于制作工艺不同，二者不能互换使用。 * * ［例4.3.7］二极管限幅电路如图 (a) 所示，其中二极管D1和D2的导通电压UD(on) = 0.3 V，交流电阻rD ? 0。输入电压ui的波形在图 (b) 中给出，作出输出电压uo的波形。 * 解：D1处于导通与截止之间的临界状态时，其支路两端电压为 - E - UD(on) = - 2.3 V。当ui - 2.3 V时，D1导通，uo = - 2.3 V；当ui - 2.3 V时，D1截止，支路等效为开路，uo = ui。所以D1实现了下限幅；D2处于临界状态时，其支路两端电压为 E + UD(on) = 2.3 V。当ui 2.3 V时，D2导通，uo = 2.3 V；当ui 2.3 V时，D2截止，支路等效为开路，uo = ui。所以D2实现了上限幅。综合uo的波形如图 (c) 所示，该电路把ui超出 ? 2.3 V的部分削去后进行输出，完成双向限幅。 * 　　限幅电路的基本用途是控制输入电压不超过允许范围，以保护后级电路的安全工作。设二极管的导通电压UD(on) = 0.7 V，在图中，当 - 0.7 V ui 0.7 V时，二极管D1和D2都截止，电阻R1和R2中没有电流，集成运放的两个输入端之间的电压为ui；当ui 0.7 V时，D1导通，D2截止，R1、D1和R2构成回路，对ui分压，集成运放输入端的电压被限制在UD(on) = 0.7 V；当ui - 0.7 V时，D1截止，D2导通， R1、D2和R2 构成回路，对ui分压，集成运放输入端的电压被限制在 - UD(on) = - 0.7 V。该电路把ui限幅到 0.7 V到 - 0.7 V之间，保护集成运放。 * 图中，当 - 0.7 V ui 5