嘉应学院电力电子技术复习资料.docVIP

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  • 2017-02-08 发布于重庆
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嘉应学院电力电子技术复习资料

第一章 填空题: 1.电力电子器件一般工作在___状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为_。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__、__、 __三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为、、三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为。 6.电力二极管的主要类型有、、。 7.肖特基二极管的开关损耗___快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为正向有触发则导通、反向截止。 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL_IH 。IL=2~4IH) 10.晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDRM__Ubo。 11.逆导晶闸管是将__与晶闸管__(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO的___结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为__ 。 14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的__、前者的饱和区对应后者的__、前者的非饱和区对应后者的__。 15.电力MOSFET的通态电阻具有温度系数。16.IGBT 的开启电压UGE(t

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