大学物理 m固体中的电子 培训教案.pptVIP

3.1 半导体的掺杂性—Si为例 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 本征半导体 n型半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +5 +4 +4 +4 p型半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +3 +4 +4 +4 As V族：N、P、As、Sb、Bi B III族：B、Al、Ga、In、Tl ?Eg 导 带 满 带 E EA受主能级 空穴浓度增加； 空穴多子，电子少子 ?Eg 电子空穴对浓度小 热激发：电子空穴对 导 带 满 带 E 导 带 E ED 施主能级 电子浓度增加； 电子多子（热激发+掺杂） 空穴（热激发）少子 ?Eg 满 带 掺杂可以提高半导体的导电性能 —— 室温本征硅电阻率2.3×105Ω·cm，掺入10–6砷，电阻率变为0.2Ω·cm ⒊外场的影响 ⑴热激发 温度? ?跃迁电子数? ?载流子数? ?电阻?. 应用：热敏电阻器(thermistor). 金属 R T 半导体 o 3.2 半导体的热敏性 环境温度升高时 本征半导体的电阻率下降，导电能力增强。 金属导体的电阻率增大，导电能力下降。 温度升高时，金属原子的热运动加剧，会阻碍电子的定向运动 室温附近，温度升高8oC， 纯Si的电阻率降低为原来的一半； 室温附近，温度升高12oC， 纯Ge的电阻率降低为原来的一半。 热敏电阻 利用半导体材料制成的电阻器，对温度、热量的反应极其灵敏。 片状 针状—电子温度计 电阻率R 温度 T 0 半导体 金属 导带 满带 E ?Eg 导带 满带 E ?Eg 温度升高 本征激发 在电子体温计，电饭煲等自动化、无线电技术、远距离控制与红外测量都有广泛应用价值。 ⑵光激发 光照 ?跃迁电子数? ?载流子数? ?电阻?. ——光电导现象 应用：光敏电阻器(photoresistor). 3.3 半导体的光敏性 光电导现象：当受到光照时，其导电能力增强。 施主能级 导带 满带 hv n型半导体 导带 满带 受主能级 hv p型半导体 光激发的自由载流子。 光生载流子 内光电效应 光生载流子越多，物体导电能力越强，并且载流子没有逸出体外的光电导现象。 导带 满带 hv 本征半导体 hv≥Eg 利用半导体的光电效应制成的电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器 。 光敏电阻 其他应用：光敏二极管、 光敏三极管、 光敏电池 等 光敏电阻 光敏二极管 ⒋ PN结 (PN junction) ——P型半导体与N型半导体的交界区. P N ? + ? + ? + P N 在交界区, 因载流子扩散而形成电偶层 ——阻挡层 (厚度约1?m, 场强约106~108V/m). PN结的特性：单向导电性. PN结的应用：整流(rectification). 4.1 pn结—形成 p n 接触前 接触 扩散电流 U0 内建电场 阻挡层： U0 势垒区—阻碍n区电子进入p区， 同时阻碍p区空穴进入n区。 动态平衡 p n + - U0 总电流 = 0 扩散电流 漂移电流 空间电荷区 接触前 接触后 能 带 4.2 pn结—单向导电性 未加偏压 正向偏压 反向偏压 正向偏压： 内建电场与外加电压反向； 势垒高度降低； 阻挡层减薄； 多子扩散电流增大，少子漂移电流减小，形成p流向n的正向电流。 反向偏压： 内建电场与外加电压同向； 势垒高度升高； 阻挡层增厚； 多子扩散困难，扩散电流减小； 少子漂移电流增大，可能形成小的反向电流（n到p）。 正向偏压： 低电阻性， PN结导通 反向偏压： 高电阻性， PN结截止 PN结具有单向导电性 + - + 4.3 pn结—伏安特性曲线 正向偏压： 低电阻性， PN结导通 反向偏压： 高电阻性， PN结截止 PN结具有单向导电性 + PN结具有整流效应 A点：外加正向电压小于开启电压（阈值电压）时， 外电场不足以克服内电场对多子扩散的阻力， PN结处于截止状态 。 B点：外加正向电压大于开启电压（阈值电压），PN结 处于导通状态，电流随着外加电压增大而增大 。 C点：外加反向电压时， PN结处于截止状态。 1、温升使反向电流增加很快（本