大功率器件的广泛应用以及器件更高性能的要求,对封装材.docVIP

随着混合集成电路技术的飞速发展、大功率器件的广泛应用以及器件更高性能的要求，对封装材料提出了更新、更高的要求，传统材料不再适用于高功率密度器件的封装。过去大量使用的铝、铜、可伐或半导体材料等不能达到良好的导热指标和轻便的要求，而且成本较高，已不能满足这种高功率密度的需要。这使得电子器件热管理问题成为瓶颈。 　　如果电子器件热管理问题得不到很好的解决，会导致电子器件的热失效，从而造成封装体与芯片因受热膨胀而开裂，芯片散热性不佳而停止工作。当两种接触材料的热膨胀系数差异达到12ppm/K时，仅100次热循环就会出现热疲劳失效，比如在大功率LED应用中，由于高亮度产品的电流量提高(电流由早期0.3A发展到目前约1A)或因其高功率(由早期1W发展到目前约可达5W)致使单位面积高热量产生。一般说来，每100%的能源只有约20%产生光，而有80%的能源变为热能损耗，因此热量是能源最大的消耗。但同时若不移除多余的热能，则LED使用寿命及效能将折损。 　　因此，为了保证此类设备的可靠性，就需要解决热管理这个问题。解决这一瓶颈最好的方法就是通过改变提高封装材料的性能。 　　二、大功率LED照明光源需要解决的散热问题 　　大功率LED芯片在工作时就会产生大量的热量。如何将产生的热量散发出去，保证一定环境温度条件下能长期正常工作显得尤为重要，解决好热耗散是大功率器件封装的关键。 　　大功率LED照明光源需要解决的散热问题涉及以下几个环节： 　　1、晶片PN结到外延层; 　　2、外延层到封装基板; 　　3、封装基板到外部冷却装置再到空气。 　　为了取得好的导热效果，三个导热环节应采用热导系数高的材料，并尽量提高对流散热。LED发出的热量通过导热硅脂传递给散热板，再通过铝散热器将绝大部分热量通过辐射和对流的方式带到周围的空气中，将热量排除，这样就形成了从LED芯片通过导热硅脂和铝基板到周围空气的散热通路。材料热传导性能的一个很重要的指标是热阻，热阻是指热量传递通道上两个参点之间的温度差与两点间热量传递速率的比值。 　　Rth=△T/qx (1) 　　其中：Rth=两点间的热阻(/W或K/W)，△T=两点间的温度差()，qx=两点间热量传递速率(W)。在热传导模型的热阻计算由下式给出： 　　Rth=L/λS (2) 　　其中：L为热传导距离(m)，S为热传导通道的截面积(?)，λ为热传导系数(W/mK)。 　　热传导系数(W/mK)：是指在稳定传热条件下，1m厚的材料，两侧表面的温差为1度(K，)，在1小时内通过1?面积传递的热量，单位为瓦/米?度(W/m?K，此处为K可用代替)。 　　从公式(2)可知，越短的热传导距离、越大的截面积、越高的热传导系数对热阻的降低越有利，这就要求设计合理的封装结构和选择合适的材料。 　　大功率LED 所产生的热量主要通过基板材料传导到外壳而散发出去，不同的基板材料，其导热性能各异。高导热的基板可以满足自然冷却的要求，要解决这一问题，基板的选择是关键。据计算，在基准温度(100)以上，工作温度每升高25，电路的失效率就会增加5～6倍。因此，如何提高基板的散热性能，使得电路在正常温度下工作已成为一个亟待解决的问题。但一些传统的材料由于其综合性能、环保、成本等因素，难以满足大功率器件封装的要求，我们必须不断去发掘新的材料，使其更加符合大功率LED散热的要求。 　　三、铝碳化硅(Alsic)的材料特性 　　产品的性能优势是由材料的技术特点决定的，在微电子封装中使用何种封装材料主要取决于三种技术参数，即热导率、热膨胀系数和密度。热导率高的材料导热性能好，是优先考虑的封装材料;而热膨胀系数则需要与芯片的膨胀系数相匹配，这样才不会在受热后使封装体与芯片开裂;对于材料密度而言，人们的理想是追求越轻便越好的，即低密度材料。下表表现了目前使用较多的几种封装材料在三个主要性能指标上的比较。 材? 料 成??? 分 密? 度 (g/cm3) 热膨胀系数 (10-6/K) 热导率 (W/mK) AlSiC Al+(50%-70%)SiC 2.90-3.03 6.5-9.0 170-200 CuW W+(10%-20%)Cu 15.6-17.0 6.5-8.3 180-200 CuMo Mo+(15%-20%)Cu 10.00 7.0-8.0 160-170 AlSi 60%Al+40%Si 2.53 15.4 126 Kovar Fe+Ni 8.10 5.9 17 Cu / 8.96 17.8 398 Al / 2.70 23.6 238 Si / 2.30 4.2 151 GaAs / 5.23 6.5 54 Al2O3 / 3.60 6.7 17 BeO / 2.90 7.6 250 AlN 98%purity 3.3