第四章场效应管放大电路.pptVIP

第4章 场效应管的分类； 结型场效应管（JFET）和金属－氧化物－半导体场效应管（MOSFET）的结构、工作原理、输出特性曲线和转移特性曲线，以及各参数； 场效应管放大电路的结构及分析方法； 场效应管的特点（主要与BJT相比较而言） 第4章 场效应管放大电路 FET的特点： FET的分类： 根据结构不同，可分为： 目 录 4.1 结型场效应管(JFET) P沟道结型场效应管 二. 工作原理 P+区内侧与P+区和N沟道交界侧PN结形成比较： 当N沟道JFET工作时，需： 当N沟道JFET工作时，需： 分析工作原理： 可以归纳，vDS＝0时vGS对导电沟道的控制作用： vDS对iD的影响 总结工作情况 综上分析可知： 通过实验可以得到iD的经验公式： 场效应管的主要参数 4.3 金属－氧化物－半导体场效应管 ② 漏源电压vDS对漏极电流id的控制作用 ② 漏源电压vDS对漏极电流id的控制作用 ② 漏源电压vDS对漏极电流id的控制作用 ② 漏源电压vDS对漏极电流id的控制作用 总结N沟道增强型MOSFET的工作原理： 二. N沟道耗尽型MOSFET 特点： 当vGS=0时，就有沟道，加入vDS，就有iD。 当vGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当vGS＜0时，沟道变窄，iD减小。 三.各种FET的特性比较及使用注意事项 各种场效应管的符号及特性 各种场效应管