mosfetic使用盲点与对策.docVIP

MOSFET IC 使用盲点与对策 Power MOSFET IC 主要应用在功率电路终端输出段，由于使用上必需面对各种严苛的动作要求与环境 考验，因此MOSFET IC 经常在使用中遭到破坏，有鉴于此本文要探讨有关Power MOSFET IC 使用上的盲点与破坏机制，同时介绍各种对策技巧避免组件产生发热、损毁问题。 Power MOSFET 的破坏模式 表1 是MOSFET IC 应用领域与破坏模式一览。Power MOSFET 的破坏模式可分为五大类，分别是: ⑴. 溃散(Avalcache)破坏模式(又称为过电压破坏模式) 当电洞(surge)电压超过组件最大定额电压VDSS 时，电洞电压会流到drain 与source 之间，严重时甚至 会进入降伏电压V(BR)DSS 领域，当电洞电压累积一定能量(温度、电流、dv/dt)时，就会引发组件损坏等 后果。 ⑵. ASO(Area of Safe Operation)破坏 ASO 破坏是指组件的最大定额drain 电流ID，超过drain 与source 之间的电压VDSS 与容许channel 损失 Pch 所造成的破坏而言。由于它是过电流、过电压与过电力，超越安全动作领域造成的破坏现象，因此 又称为发热要因破坏。 发热要因可分为连续性与过渡性两种，具体内容分别如下: ?连续性发热 a.在活性领域(模拟动作)以直流电力，或是