电子技术_19811.pptVIP

7.4 MOS门电路 7.4..1 MOS反相器 0 uDS iD 负载线 ui=“1” ui=“0” uo=“0” uo=“1” UCC ui uo 实际结构 UCC ui uo 等效结构 UCC ui uo 7.4.2 CMOS反相器 NMOS管 PMOS管 CMOS电路 UCC S T2 D T1 ui uo 工作原理： ui=0时： ugs2=?UCC ， T2导通、T1截止，uo=“１”； ui=1时： T1导通、T2截止，uo=“0”。 UCC A F B A UCC F B A UCC F B A B UCC F CMOS * 电子技术 第七章 场效应管 模拟电路部分 §7.1 概述 场效应管 (Field Effect Trasistor，FET)与 双极型晶体管 (Bipolar Junction Transistor,BJT ) 不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 BJT是一种电流控制电流的半导体器件 FET是一种电压控制电流的半导体器件 1、结型场效应管 JFET junction type 2、绝缘栅型场效应管 MOSFET metal oxide semiconductor type FET 场效应管根据其结构不同分为两种: MOS N沟道 ( NMOS ) P沟道 ( PMOS ) 增强型 enhancement mode MOSFET 耗尽型 depletion mode MOSFET 耗尽型 增强型 N 基底 ：N型半导体 两边是P区 G(栅极) S源极 D漏极 一、结构 7. 2 结型场效应管 (JFET): 导电沟道 P P PN结 drain Gate,grid source N P P G(栅极) S源极 D漏极 N沟道结型场效应管 D G S 二、工作原理（以N沟道为例） N G S D UGS N N P P ID PN结反偏，UGS越负,则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 UDS=0V时 P P 即使UDS ? 0V，漏极电流ID=0A。 此时的UGS 就称 夹断电压VP 0 iD uGS VP 夹断电压 不管UDS的值如何 iD ～ uGS D G S iD 转移特性曲线： 没夹断 UDS又不为零 ？ID N G S D UDS UGS UGSVp且UDS0、UGDVP时耗尽区的形状 P P 越靠近漏端，PN结反压越大 ID P G S D UDS UGS UGSVp且UDS较大时UGDVP时耗尽区的形状 P P 沟道中仍是电阻特性，但是是非线性电阻。 ID N G S D UDS UGS UGSVp UGD=VP时 N N 漏端的沟道被夹断，称为予夹断。 UDS增大则被夹断区向下延伸。 ID G S D UDS UGS UGSVp UGD=VP时 P p 此时，电流ID由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随UDS的增加而增加，呈恒流特性。 ID N N沟道结型场效应管的特性曲线 转移特性曲线 uGS 0 iD IDSS VP 夹断电压 饱和漏极电流 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS=0V -1V -3V -4V -5V N沟道结型场效应管的输出特性曲线 -2V 可变电阻区 夹断区 恒流区 予夹断曲线 P N N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道结型场效应管 D G S D G S 7.2.2 P沟道结型场效应管 特性曲线 UGS 0 ID IDSS VP 饱和漏极电流 夹断电压 转移特性曲线 一定UDS下的ID-UGS曲线 予夹断曲线 ID U DS 2V UGS=0V 1V 3V 4V 5V 可变电阻区 夹断区 恒流区 输出特性曲线 0 结型场效应管的缺点： 1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。 3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。 2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。 7. 3 绝缘栅场效应管(MOS): 7.3.1、 N沟道增强型FET的结构和电路符号 P N N G S D P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 金属铝 G S D 7.3.2、MOS管的工作原理 以N 沟道增强型(NMOS)为例 P N N G S D UDS UGS UGS=0时 D-S 间相当于两个反接的PN结 ID=0 对应截止区 P N N G S D UDS UGS UGS0时 UGS足够大时（UGSVT）感应出足够多电子，这里出现以电子导电为主的N型导电沟道。 感应出电子 VT称为阈值电压 UGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。 P N N G S D UDS UGS P N N