电化学沉积薄制备技术--11要点.pptVIP

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  • 2017-02-09 发布于湖北
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电化学沉积薄制备技术--11要点

(2) 溅射沉积 这种方法以离子轰击靶材料,使其溅射并沉积在基体材料上。离子来源于气体放电,主要是辉光放电。溅射沉积有多种方式,其中包括二极溅射、三极或四极溅射、磁控溅射、射频溅射和反应溅射等技术。 a) 二极溅射 装置由溅射的靶(阴极)和镀膜的基片以及它的托架(阳极), 两个电极组成。电极和基片托架如果是平板,则称平板二极;如为同轴状配置就称为同轴二极。溅射是通过等离子区中的离子轰击负电位的靶来进行的。二极溅射结构简单,宜于在基片上沉积均匀的膜,放电电流通过改变气体压强和电流来控制。 b) 三极或四极溅射 是对二极溅射的改进,它通过降低溅射时的气体压强,将靶电压和电流分别单独地加以控制来实现。这种方式是通过热阴极和阳极形成一个与靶电压无关的等离子区,使靶相对于等离子区保持负电位,并通过等离子区中的离子轰击靶来进行溅射。有稳定电极的,称为四极溅射;没有稳定电极的,称为三极溅射。稳定电极的作用就是使放电稳定。 上述溅射的缺点是:① 基片的温度剧烈上升(甚至达数百度);② 沉积速度慢(通常在0.1?m/min以下)。为了克服这些缺点,发展了磁控溅射。 磁控溅射 利用正交电场与磁场的磁控管放电,在靶附近造成一个高密度的等离子区,使其流过大的离子流,从而实现大功率化,提高溅射沉积的效率另外,通过对被溅射靶材直接进行水冷以及依靠磁场和电子阱电极去掉电子轰击等,使靶的热辐射和电子轰

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