电子科大薄膜物理(赵晓辉)第三章溅射教材分析.ppt

* －－为什么在正半周不对基片进行溅射 Vc：等离子体与靶间 电压 Vd：等离子体与接地 电极电压 Ac：靶电极面积 Ad：接地电极面积 由于Vd很小，等离子体 只对薄膜进行轻微轰击 e. 射频溅射的空间电位分布 * f. 射频溅射的特点 优点：A) 可淀积导体、半导体、绝缘体在内的 所有材料； B) 击穿电压及维持放电电压均很低； 工作气压低(~1/10直流) 电子作振荡运动，增加了碰撞几率，便于吸收能量， 不需要二次电子来维持放电。 缺点：靶上发射的二次电子对基片的辐照 损伤没有消除。 * ⑤ 磁控溅射 a. 原理 E⊥靶面，B∥靶面 * 溅射产生二次电子和原子，对于e1电子 近似认为：二次电子在阴极暗区只受电场作用； 在负辉光区只受磁场作用 在电磁场的作用下，二次电子作上下的振荡 横向的漂移 运动 * 若电磁场是闭合的，则二次电子的运动轨迹为一条圆滚线 * 二次电子与气体分子碰撞以后，损失能量，其运动 轨迹会稍微偏离阴极而靠近阳极（阴阳极间距的1/100 左右），这样必须经多次碰撞后二次电子才能到达阳极 （基片）。一方面增加了碰撞电离的几率，另一方面对 基片的损伤小。 e2电子可直接到达阳极，但其比例很少。 气体电离后的正离子轰击靶，打出新的e1电子， 重复上述过程。 * b. 特点 1）基片温升低，只及RF入射能量的1/10。可对塑料 基片、光刻胶等进行溅射。 2）高的沉积速率，比二极溅射高100倍； 离化率从0.3-0.5％ 5-6％。 3）基片的辐照损伤低。 4）工作气压可下降2个数量级， 10Pa 0.5Pa 5）靶的平均电流密度高。 缺点：1）靶的不均匀刻蚀； 2）强磁性材料困难。 * c.磁控溅射靶的类型 同轴型 同轴型 平面型 S枪型 适合大面积 靶材利用率高， 膜厚分布均匀 * ⑥ 对向靶磁控溅射 两靶对向放置， B ⊥靶面， 阳极与靶垂直 在阴极暗区，E∥B，电子只受电场力作用。 电子在离开阴极暗区 后，具有X方向的速度 分量，受洛仑兹力偏转 作回旋运动。 但Y方向速度很大，作 振荡运动。 综合来看，作螺旋线 运动。 * 电子被束缚在两个靶之间，增加了碰撞电离的几率，所以具有磁控溅射同样的优点：1. 高速2. 低温3. 低损伤…………突出的优点：可溅射磁性材料。 * ⑦ 反应溅射 a.定义 在溅射镀膜时，引入某些活性反应气体，来获得 不同与靶材的新物质薄膜的方法。 是除射频溅射外，另一种制备介质薄膜的方法。 反应气体 O2 N2 NH3 O2/N2 C2H2 CH4 CSi4 HF CF4 产物 氧化物 氮化物 氮氧化物 碳化物 硅化物 氟化物 * b. 反应溅射的机理 反应发生在什么地方。气相中？靶上？基片上？ 反应气体的分压低，气相反应可忽略 金属溅射模式 化合物溅射模式 靶中毒： 靶上活性气体的吸附 速度大于其溅射速度， 靶材发生了反应。 * 沉积时在腔体中加入反应气体（蒸发或溅射） 氧气，氮气 化学反应在基板和靶材表面同时发生 如果反应速度大于溅射速度，则会出现靶中毒 调整反应气体流速以得到理想成分，无需引入过多气体。 * 靶中毒的表现： 溅射速度急剧下降。 1）化合物的溅射速度慢； 2）化合物的二次电子发射系数大， 更多的能量用于发射二次电子； 3）活性气体的溅射率比Ar低。 例子 * Ea-反应活化能，NA-阿佛加德罗常数，e-反应势垒 Energy Ea Ea’ x DE w reaction process 反应机理 * 能量 Ea的粒子数 对于蒸发，Ee 溅射, Es Es~10-20eV Ee~0.1-0.2eV 溅射中粒子反应速度比蒸发快得多！ * ⑧离子束溅射 上述的7种溅射都是阴极溅射，即靶和基板都处于等离子体中，基片在成膜过程中受到周围环境气体和带电离子的轰击（特别是高速电子），因此膜的质量往往差异较大。离子束溅射是将离子的产生区和靶的溅射区分开。 考夫曼离子源 * 离子束溅射(IBS)