ESD保护方法的对比分析.docVIP

ESD保析 在人(ESD)现象可谓无处不在，瞬间产生的上升时间低于纳秒(ns)、持 对于电子系统设计人员而言，如果没有采取适当的ESD保ESD的冲 ESD保 为了给电子系统提供ESD保ESD保CMOS芯片已2 kV等ESD保ESD保CMOS芯片之中的！ 其次，也可以在物理 此外，ESD设计作出贡献。系统连接的感测器比较容易受到ESD的冲置接口 不ESD保ESD应力影响，进入有效控制ESD事件的1所示。当然，合格的ESD元件必 常ESD保 安森美半ESD保Robert Ashton博士ESD保 制器(TVS)等，如表1所示。在保1中我ESD冲 瞬(TVS)则为采用标准与齐纳二极管特性设计的硅芯片元件。TVS元件主要TVS元件通常采用集成(IC)方式生 利用屏幕截TLP进行ESD保 Ashton博士ESD保ESD应力冲击或者说大电流冲击条件下，ESD保ESD冲 众所周知，IEC 61000-4-2标准测试条件下存续。虽然大部分的ESD保宣称能IEC 61000-4-2所指定的8 kV或第四(Class 4)，但ESD保±10 kV应力电压 (高于8 kV)ESD保ESD保 图3的屏幕截TVS元件可以迅速将ESD8 kV静5至6 V的水平；但TVS器件的恢TVS器件泄漏到后面 在多重TVS采用二极管工作原理，受到ESD事件，材料就会受到一定的物理 有ESD保“少林功夫”，用“身体()”去硬扛，会“很受”，而TVS耍的是“太极拳”，在ESDIC之前，就将冲“引”或“消减掉”。 两相1,000次8kV IEC 61000-4-2 ESD脉冲条件下，安森美半TVS元件的漏0.1 ?A，而20个ESD脉冲下漏100 ?A。由此可ESD应用作用下，TVS仍能 不ESD应力冲击测试下的大I-V曲V(t)与I(t)的 在(TLP)方法就是很好的下一TLP测试，就是一种利用矩形短脉冲(50~200 ns)来ESD保-电压特性曲线的方法。这个短脉冲用来模拟作用于保护元件的短ESD脉冲，而恒定阻抗的 TLP测试通过方波测试脉冲加到待测器件(DUT)的两个引脚之TLP测试前要先对电路中的传输线路充电，测试时将被测器件接入，传输线路通过被测器件放电。改变电路和输入电压和传输线路的长度可以模拟在不同能量中的ESD脉冲，从而得到器件的ESD大TLP测试先从小电压脉冲开始，随后连续增加直到获得足够多的数据点，以作出完整的I-V曲DUT彻底损伤为止，作而获得其精确的允许最大脉冲电流。 总的来看，ESD保TLP测试方法优势突出，不仅可以确认屏幕截图数据，还可用于解析ESD保 结合ESD脉冲TLP测试，我们可以得出结论，在不同ESD保TVS元件，特TVS元件的大 不同便携ESD保 按照TVSESD保ESD保(高于100瓦)、最低TVS电容在1,000 pF至100 pF之ESD5Z5、ESD9X等TVS产品。 第二是高速ESD保USB1.1、USB2.0FS、FM天SIM卡和音TVS电容在40 pF至5 pF；在ESD9C和ESD7C等TVS、ESD5B和ESD9B双向TVS、NUP4202和NUP2202等ESD保NUP4xV、NUP8010和NUP5120等双向ESD保 第三个是超高速ESD保USB2.0HS、HDMI、RF天TVS电容在5pF以下，TVS技ESD9单向TVS(电容小于2 pF)、ESD11和ESD9双向TVS(0.5 pF)、NUP4212和NUP8012ESD保NUP4214双向ESD保 图6：多(MLV) 与安森美半TVS硅芯片技 安森美半ESD保范及ESD保 总结 要ESD保TVS这几种常见保护元件中，前两者分别在经济性和低电容方面占有优势，但TVS则拥有极佳的导电率，并且在多重应用作用下仍能维持强劲性能。安森美半导体提供一系列采用先进封装、拥有极佳性能的TVS元件，分ESD保 供稿：安森美半导体什ESD? ESD是代表英文Electrostatic Discharge即“静电放电”的意思。ESD是本世EMI）及EMC）