习题课2答案.doc

一、选择题 1、光敏电阻的物理基础是 （ ） A 外光电效应 B 光电导效应 C 光生伏特效应 D 压阻效应 2．下列被测物理量适合于使用红外传感器进行测量的是（ ） A．压力 B．力矩 C．温度 D．厚度 3、应变片的灵敏系数小于应变丝的灵敏系数是因为 （ ） A 横向效应 B 基片传递变形失真 C 粘合剂传递变形失真 D 以上都对 4、下述对传感器灵敏度的描述不正确的是： （ ） A 对线性传感器，灵敏度随输入量而变化 B 对非线性传感器，灵敏度随输入量而变化 C 等于传感器输出量与相应的输入量的变化值之比 D 对线性传感器，灵敏度为常数 5、光电倍增管的物理基础是 （ ） A 外光电效应 B 光电导效应 C 光生伏特效应 　 D 压阻效应 6、对压电效应的描述正确的是 （ ） A 当晶体沿一定方向伸长或压缩时在其表面会产生电荷 B 当陶瓷沿一定方向伸长或压缩时在其表面会产生电荷 C 当某些晶体或陶瓷在外电场的作用下发生形变，这种现象叫压电效应 D 晶体的压电效应是一种机电耦合效应，是由力学量（应力、应变）与电学量（电场强度、电位移失量）之间相互耦合产生的。 7、下图为热敏电阻的ρ-T特性曲线，试问哪一个是CIR的ρ-T特性曲线 （ ） 8、如图所示，Ｒ３是光敏电阻，当开关Ｓ闭合后在没有光照射时，a、b两点等电势，当用光照射电阻Ｒ３时，则（ ） Ａ、Ｒ３的电阻变小，a点电势高于b点电势 Ｂ、Ｒ３的电阻变小，a点电势低于b点电势 Ｃ、Ｒ３的电阻变大，a点电势等于b点电势 Ｄ、Ｒ３的电阻变大，a点电势低于b点电势 9、下面的哪些传感器不属于内光电传感器（ ） A:光电管; B:光电池 C:光敏电阻 D:光电二/三极管 10、应变式传感器的温度误差产生的主要原因：（ ） A：应变式温度传感器件的温度系数变化。 B：应变式温度传感器件的测量部分引起的。 D：应变式温度传感器件对温度应变不敏感引起的。 E：试件材料与应变丝材料的线膨胀系数不一, 使应变丝产生附加变形而造成的电阻变化。 11、构件作纯弯曲形变时，构件面上部的应变为拉应变，下部为压应变，且两者是什么关系？（ ） A、 绝对值相同且符号相反 B、 绝对值相同且符号相同 C、 绝对值相同符号相反 D、 绝对值相同符号相同 12、电桥测量电路的作用是把传感器的参数转换为（ ）的输出 A：电阻 B：电压 C：电容 D：电荷 13、传感器能感知的输入变化量越小，表示传感器的（ ） A：线性度越好。B：迟滞越小。C:重复性越好。D:分辨力越高。 14、输入逐渐增加到某一值，与输入逐渐减小到同一输入值时的输出值不相等是属于传感器静态特性的哪一种（ ） A:灵敏度 B:线性度 C:灵敏度界限 D:迟滞性 15、为了减小热电偶测温时的测量误差，需要进行的温度补偿方法不包括（ ）。 　　A. 补偿导线法 B. 电桥补偿法 　　C. 冷端恒温法 D. 差动放大法 二、 填空题 　　1、压电式传感器是基于______________效应工作的。 　　2、金属丝在外力作用下发生机械形变时它的电阻值将发生变化，这种现象??称＿＿＿＿＿＿效应；固体受到作用力后电阻率要发生变化，这种现象称＿＿＿＿＿效应。直线的电阻丝绕成敏感栅后长度相同但应变不同，圆??弧部分使灵敏度K?下降了，这种现象称为＿＿＿＿＿＿＿效应。 　　3.把一导体（或半导体）两端通以控制电流I，在垂直方向施加磁场B，在??另外两侧会产生一个与控制电流和磁场成比例的电动势，这种现象称??＿＿＿＿＿＿＿＿效应，这个电动势称为＿＿＿＿＿＿＿电势。 　　4、在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称＿＿＿＿＿＿＿＿效应；??入射光强改变物质导电率的现象称＿＿＿＿＿＿＿＿效应；半导体材料??吸收光能后在PN?结上产生电动式的效