常用半导体器件培训教程文件.ppt

第一章 常用半导体器件 一、半导体基础知识 二、半导体二极管 三、晶体三极管 四、场效应管 五、单结晶体管和晶闸管 六、集成电路中的元件 七、Multisim 应用举例 1.1 半导体基础知识 1.1.1 本征半导体 一、半导体 物质根据其导电性能分为 导体：导电能力良好的物质。 绝缘体：导电能力很差的物质。 半导体：是一种导电能力介于导体和绝缘体之 间的物质，如硅、锗、硒、砷化镓及一些硫化物和氧化物。 半导体的导电能力具有独特的性质。 ①温度升高时，纯净的半导体的导电能力显著增加； ②在纯净半导体材料中加入微量的“杂质”元素，它的电导率就会成千上万倍地增长； ③纯净的半导体受到光照时，导电能力明显提高。 二、本征半导体（Intrinsic Semiconductor） 原子的组成： 带正电的原子核；若干个围绕原子核运动的带负电的电子； 且整个原子呈电中性。 半导体器件的材料： 硅（Silicon-Si）：四价元素，硅的原子序数是14，外层有4个电子。 锗（Germanium-Ge）：也是四价元素，锗的原子序数是32，外层也是4个电子 简化原子结构模型如图简化形式。 共价键:由相邻两个原子各拿出一个价电子组成价电子对所构成的联系。 三、本征半导体中的两种载流子 在本征半导体中，激发出一个自由电子，同时便产生一个空穴。电子和空穴总是成对地产生，称为电子空穴对。 半导体中的载流子 自由电子 空穴（Hole） 空穴和自由电子同时参加导电，是半导体的重要特点 空穴带正电荷。 由于空穴带正电荷，且可以在原子间移动，因此，空穴是一种载流子。 半导体中有两种载流子：自由电子载流子（简称电子）和空穴载流子（简称空穴），它们均可在电场作用下形成电流。 本征半导体中, 自由电子与空穴是同时成对产生的, 因此, 它们的浓度是相等的。我们用n和p分别表示电子和空穴的浓度, 即ni=pi, 下标i表示为本征半导体。 四、本征半导体中载流子的浓度 半导体由于热激发而不断产生电子空穴对，那么，电子空穴对是否会越来越多，电子和空穴浓度是否会越来越大呢？ 实验表明，在一定的温度下，电子浓度和空穴浓度都保持一个定值。 半导体中存在 载流子的产生过程 载流子的复合过程 价电子在热运动中获得能量产生了电子-空穴对。同时自由电子在运动过程中失去能量, 与空穴相遇, 使电子、 空穴对消失, 这种现象称为复合。在一定温度下, 载流子的产生过程和复合过程是相对平衡的, 载流子的浓度是一定的。本征半导体中载流子的浓度, 除了与半导体材料本身的性质有关以外, 还与温度有关, 而且随着温度的升高, 基本上按指数规律增加。因此, 半导体载流子浓度对温度十分敏感。对于硅材料, 大约温度每升高８℃, 本征载流子浓度ni增加 1 倍；对于锗材料, 大约温度每升高12℃, ni增加 1 倍。 除此之外, 半导体载流子浓度还与光照有关, 人们正是利用此特性, 制成光敏器件。 综上所述： (1)半导体中有两种载流子：自由电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。 (2)本征半导体中，电子和空穴总是成对地产生。 (3)半导体中，同时存在载流子的产生和复合过程。 注意： 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。 1.1.2 杂质半导体 本征半导体的电导率很小，而且受温度和光照等条件影响甚大，不能直接用来制造半导体器件。 本征半导体的物理性质：纯净的半导体中掺入微量元素，导电能力显著提高。 掺入的微量元素——“杂质”。 掺入了“杂质”的半导体称为“杂质”半导体。 一、N型半导体 在本征半导体中加入微量的五价元素，如：砷、磷、锑，可使半导体中自由电子浓度大为增加，形成N型半导体。 掺入的五价杂质原子占据晶格中某些硅（或锗）原子的位置。如图所示。 N型半导体 N型半导体 杂质半导体中仍有本征激发产生的少量电子空穴对。 自由电子的数目高，故导电能力显著提高。 把这种半导体称为N型半导体，其中的电子称为多数载流子（简称多子），空穴称为少数载流子（简称少子）。 在N型半导体中自由电子数等于正离子数和空穴数之和，自由电子带负电，空穴和正离子带正电，整块半导体中正负电荷量相等，保持电中性。 二、 P型半导体 在本征半导体中加入微量的三价元素，如：硼、铝，可使半导体中的空穴浓度大为增加，形成P型半导体。 综上所述： (1)本征半导体中加入五价杂质元素，便形成N型