第8章 半导体储存器与可编程逻辑器件专用课件.pptVIP

2. RAM字数的扩展 A11~ A0十二根地址线，组成4096字?4位的RAM ... RAM 21114(1) I/O (2) I/O (3) I/O (4) I/O A11A10 A11 A10 2/4 线 译 码 器 R/W A0 A9 I/O3 I/O2 I/O1 I/O0 A11A10 A11A10 A11A10 A9… A0R/W CS A9… A0R/W CS A9… A0R/W CS A9… A0R/W CS ... RAM 21114(1) I/O (2) I/O (3) I/O (4) I/O A11A10 A11 A10 2/4 线 译 码 器 R/W A0 A9 I/O3 I/O2 I/O1 I/O0 A11A10 A11A10 A11A10 A9… A0R/W CS A9… A0R/W CS A9… A0R/W CS A9… A0R/W CS 0 0 选中 0 可编程逻辑器件（PLD）它是由用户自行定义功能（编程）的一类逻辑器件的总称。 输入电路 与阵列 或阵列 输出电路 ... ... 8.3 可编程逻辑器件 * * * * * * * 第8章 半导体存储器与可编程逻辑器件 8.1 只读存储器 8.2 随机存取存储器 8.3 可编程逻辑器件 8.1 只读存储器 各种存储器中结构最简单的一种。在正常工作时它存储的数据是固定不变的，只能读出，不能随时写入，故称只读存储器。 二极管ROM 使用的器件类型: 双极型三极管ROM MOS管ROM 数据的写入方式: 固定ROM：无法更改，出厂时已定 可编程ROM（PROM）：用户只可写入一次 可擦可编程ROM（EPROM）：可写可擦，但费时长，操作复杂 电抹可编程ROM（E2PROM） 8.1.1 ROM的结构框图 存储输出 读出电路 存储矩阵 地 址 译 码 器 N×M 位线 （数据线） 字线（选择线） 地址输入 Ak-1 A1 A0 ... ... W0 W1 WN-1 DM-1 D0 D1 ... ... 表示存 储容量 ROM主要结构 存储矩阵 地址译码器 1.存储矩阵：由存储单元构成，一个存储单元存储一位二进制数码“1”或“0”。存储器是以字为单位进行存储的。 2.地址译码器：为了存取的方便，给每组存储单元以确定的标号，这个标号称为地址。图8.1.1中，W0~WN-1称为字单元的地址选择线，简称字线；地址译码器根据输入的代码从W0~WN-1条字线中选择一条字线，确定与地址代码相对应的一组存储单元位置。被选中的一组存储单元中的各位数码经位线D0~DM-1传送到数据输出端。 8.1.2 ROM的工作原理 1 1 A0 A1 地址输入 W0 W1 W2 W3 A1 A0 +U A0 A1 读出电路 存储输出 D0 D1 D2 D3 存“1” 存“0” 地址译码器 存储矩阵 字线 位线 四个地址的逻辑式分别为： 地址译码器特点： （1）N取一译码：即N条字线中，每次只能选中一条字线。图示电路为四选一译码。 （2）最小项译码：n个地址输入变量A0~An最小项的数目为N=2n。图示电路最小项为四个。 地址译码器是一个“与”逻辑阵列 N取一译码及ROM存储内容 地址码 A0 A1 0 0 0 1 1 0 1 1 最小项及编号 N取一译码 存储内容 W0 W1 W2 W3 D0 D1 D2 D3 m0 m1 m2 m3 0 0 0 1 0 1 0 1 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 1 0 地址译码器是一个“与”逻辑阵列 1 1 A0 A1 字线 位线 读出电路 地址译码器 存储矩阵 地址输入 W0 W1 W2 W3 D0 D1 D2 D3 A1 A0 +U A0 A1 8.1.2 ROM的工作原理 “0” “0” 0 0 0 1 导通 0 1 0 1 导通 8.1.2 ROM的工作原理 存储矩阵是一个“或”逻辑阵列 W3=A1A0 m3 m2 W2=A1A0 m1 W1=A1A0 m0 W0=A1A0 A0 A1 地 址 译 码 器 D3 D2 D1 D0 有二极管 无二极管 2. 双极型晶体管和MOS场效应管构成的存储矩阵 存“1” 存“0” D3 D2 D1 D0 W2 W1 W0 +U