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在两拐点之间区域所对应的是下凹的自由焓曲线。在该 区域内，任何成分的合金，如 C0→Cp及Cq两相时，自由焓将 从G1降为G3。当其分解为任意 两个成分不同的相时，自由焓 也必将降低。即在该区域内， 单相固溶体可以连续地分解为 成分不同的两个相直至平衡状 态。在分解过程中不需要通过 形核阶段——无核转变。 2．调幅分解过程 按经典形核机制分解时，新相形成后，新相与母 相之间有一明显的界面，界面两侧通过原子交换在 瞬间即可达到平衡状态，即界面的一侧增至Cb， 而另一侧降为Ca。因CaC0，故在母相中形成浓度 梯度，母相中的B原子将向低浓度的边界扩散，平 衡边界浓度平衡。为恢复平衡，新相将不断长大， 直至母相成分全部下降到Ca为止。按经典形核机 制分解时发生下坡扩散 。 调幅分解在分解过程中，富B区中的B原子逐渐进一步富 化，贫B区中B原子则逐渐贫化。在两个区域之间没有明 显的分界线，成分是连续过渡的。在分解过程中原子 是由低浓度区向高浓度区 扩散——上坡扩散， 调幅分解时，成分按正 弦曲线变化，振幅随分解 过程的进行逐渐增大。正 弦曲线的波长为λ。 显然富化区与贫化区之 间的浓度梯度将随λ的减 小而增加。 浓度梯度的增加将使上坡扩散变得困难，故λ有 一极限值λc，小于λc分解将不可能发生。大于 λc的任何波长的偏聚在理论上都是可能的。但一 般所观察到的λ均略大于λc。在Al-Zn合金中观察 到的λ约为5nm，在Al-Ag合金中约为10nm。 3．组织与性能 调幅分解时成分按正弦曲线呈周期性变化，所得组织具 有明显的规律性。在分解过程中，两相始终保持共格联 系。由于溶剂和溶质原子半径的差异，为维持共格联系， 必然会产生一定的弹性应变。 为降低弹性能，析出相总是 沿弹性应变抗力小的晶向生 长，如立方晶系中的100 或111方向，这将导致形 成格子布一样的组织。 已经在Al-Zn,Al-Ag,Alnico永磁合金以及Na2O-SiO2,及 B2O3－PbO-Al2O3等玻璃中观察到了调幅分解。另外，高碳 马氏体在80℃以下回火时也可以发生调幅分解。 许多时效硬化型合金中的GP区也是通过调幅分解形成 的。 调幅分解组织的波长极小→几十~几纳米， 有较好的弥 散强化效应。如含Ni9%、Sn6%的铜合金经调幅分解后 σS可达500MPa，且组织中不会发生位错的过分堆积，故 可以保证材料有较好的塑性。 调幅分解现已用于Al-Ni-Co永磁合金，经淬火及调幅分 解后可以形成富Fe-Co及富Ni、Al的区域，具有单畴效 应，可以提高硬磁性能。 §8－3 脱溶沉淀后的显微组织 脱溶沉淀后的性能与脱溶沉淀相的种类、形状、大 小、数量及分布有关。析出相的种类与合金成分及时效工 艺参数有关。 1．脱溶沉淀类型 GP区的形成较简单。GP区很小，只能用电镜观察。观察 表明，GP区为均匀形核，密度约为1017～1018cm-3。 但在晶界附近可能出现无析出区。亚温中间相及稳定相 的脱溶沉淀过程比较复杂。初析出时十分细小，也必须用 电镜才能观察到。当析出相长大到足够大时，才能为光镜 所观察到。一般将脱溶沉淀区分为三种类型，即：局部脱 溶、连续脱溶和不连续脱溶。 1）局部脱溶 局部脱溶是不均匀形核引起的。易在晶界、亚 晶界、孪晶界、滑移线等晶内缺陷处形核——缺陷 能。 析出相沿滑移线和位错线 析出时呈直线排列，与魏氏 组织相似。析出相周围的母 相的浓度显著下降，但在远 离析出相的地方，母相仍保 持原有成分，中间有一连续 过渡区。 2）连续脱溶 如新相的析出是均匀形核——连续脱溶。析出相 均匀分布在基体中而与晶界、位错线等无关。新相 析出后,在其周围的母相将成为溶质原子的贫化 区，而离析出相稍远的基体仍保持原有浓度。因 此，将形成浓度梯度而使溶质原子往析出相扩散， 使析出相不断长大。随析出相数目的增多及粒子的 长大，母相浓度不断下降，直至平衡浓度，与M单 相分解相似。 连续脱溶时也可以是双相分解。 因为析出相与母相保持共格联系，界面能较低， 为降低弹性能，析出相的形态一般均为片状或针 状，沿一定的惯习面析出，形成魏氏组织。在析出 初期，析出相虽不能用光镜观察到，但由于耐蚀性 降低，使金相磨面极易受腐 蚀变黑。随析出相的长大， 界面的共格联系破坏，析 出相将发生球化而成为颗 粒状，魏氏组织特征消失。 3）不连续脱溶 其主要特征是沿晶界不均匀形核，然后不断向晶内扩 展。既与P转变有类似之处，又与M双相分解有类似之处。 在晶界形成的析出相的核往往与一侧母相保持位向关 系，具有共格界面，而与另一侧无位向关系，为非共格界 面。随过程的进行，析出相呈片状长入与其无位向关