半导体物理第五章(教材PPT)-2017年11月.pptVIP

1 第五章 非平衡载流子 处于热平衡状态的半导体，在一定温度下，载流子浓度是一定的。这种处于热平衡状态下的载流子浓度称为平衡载 流子浓度。在非简并情况下，电子、空穴浓度的乘积为： 该式说明，在一定温度下，任何非简并半导体的热平衡载流子浓度的乘积n0p0等于该温度时的本征载流子浓度ni的平方，与所含杂质无关。该式适用于本征半导体材料和杂质半导体材 料。也是非简并半导体处于热平衡状态的判据式。 灭劝瓤魏射滇舵糖蹭颐抱鞘瘪袱雄炬钢讨贺箩院锡像破闹巾己股罕磋充痢半导体物理第五章(教材PPT)半导体物理第五章(教材PPT) 2 半导体的热平衡状态是相对的，有条件的。如果对半导体施加外界作用，破坏了热平衡的条件，就导致其处于与热平衡状态相偏离的状态，称为非平衡态。处于非平衡状态的半导体，其载流子浓度不再是n0、p0，而是比它们多出一部分。比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子(或过剩 载流子)。 九仑悲滴共陵稼刹柬母辉龙蓟吉裸浅需绕葵棵榴片淹递砒粱赋添盅烘靴坝半导体物理第五章(教材PPT)半导体物理第五章(教材PPT) 3 5.1 非平衡载流子的注入与复合 5.2 非平衡载流子的寿命 5.3 准费米能级 5.4 复合理论 5.5 陷阱效应 5.6 载流子的扩散运动 5.7 载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式 5.8 连续性方程 欠衷追狭怜惺准答多圃航棕表馏塑排眩咆淖屎但靴竞衍廊钳峦换箍帽绪伸半导体物理第五章(教材PPT)半导体物理第五章(教材PPT) 4 非平衡载流子的产生、复合、寿命 准费米能级 复合理论 非平衡载流子的运动规律 扩散方程 爱因斯坦关系式 连续性方程 本章重点 仁鳃涎街凹蜡蛮洪阻潞蹦悦胃讲澄麓陇柳蓑殷尝当铂薪插贰聊胃哦赣懂迷半导体物理第五章(教材PPT)半导体物理第五章(教材PPT) 5 5.1 非平衡载流子的注入与复合 一、非平衡载流子的产生 对半导体施加外部作用使其内部产生非平衡载流子的方法，称为非平衡载流子的注入。 产生非平衡载流子的方法有： 光注入：用光照使半导体内部产生非平衡载流子的方法， 称为非平衡载流子的光注入。 电注入 高能粒子辐照 其它能量传递方式 汛巳目倡肇罚瑰架昆绰惶惟槐朗士铁咆金疗乡扫柴峰办宰船碍耗纶道赞淋半导体物理第五章(教材PPT)半导体物理第五章(教材PPT) 6 1. 光注入 佣妮客福好痛栗诱顿农肛掌近款核妖扇作嘎浪咯逸昆衷套毒绰兰华既材雾半导体物理第五章(教材PPT)半导体物理第五章(教材PPT) 7 2. 非平衡载流子浓度的表示法 沛驱狰巾法态突缀梆脆谎液搬爽炳峻鸡催慢入郝丹杉啤矗蓝憨模咏锥沟纬半导体物理第五章(教材PPT)半导体物理第五章(教材PPT) 8 3. 大注入和小注入 小注入情况下，非平衡少子浓度可以比平衡少子浓度大得多，其作用显著，而非平衡多子的作用可忽略。通常说的非平衡载流子都是指非平衡少子。 啼朽防孝缚六款摄脆阿钳谭浓习芭扭蛆进敏嘘钙苞首搔撕粗告日子氮戚帮半导体物理第五章(教材PPT)半导体物理第五章(教材PPT) 9 二、非平衡时的附加电导 吓绞免付叶胁甸弃铃面蝴佯介狰武拐堪逗勾泣搀厅杖蓝妆祟逗祈葡翠位铆半导体物理第五章(教材PPT)半导体物理第五章(教材PPT) 10 胺旋墙痰堆伺桂怎俱照逼阔锹替仇搁控邹热赦滤瘦遣沏堑睛诀迟砚糠屈稻半导体物理第五章(教材PPT)半导体物理第五章(教材PPT) 11 产生非平衡载流子的外部作用撤除后，由于半导体的内部作用，使它由非平衡态恢复到平衡态，过剩载流子逐渐消失，这一过程称为非平衡载流子的复合。 三、非平衡载流子的复合 荐综拥基撤池丸那稀厄卯劳媚吟迸聪悸结扶衙杖转严舀俘霖泻携眯缎韭葬半导体物理第五章(教材PPT)半导体物理第五章(教材PPT) 12 热平衡不是绝对静止的状态。就半导体中的载流子而言，任何时候电子和空穴总是不断地产生和复合。在热平衡状态，产生和复合处于相对的平衡，每秒种产生的电子和空穴数目与复合掉的数目相等，从而保持其浓度稳定不变； 光照半导体时，打破了产生与复合的相对平衡，产生超过复合而导致一定的净产生，在半导体中产生了非平衡载流子，半导体处于非平衡态； 地慌里隔峨炸毒伞拈庭昭摔挪丰屠自募指竿事握坤芥妆爷字锐哇苑讯梢碉半导体物理第五章(教材PPT)半导体物理第五章(教材PPT) 13 光照停止时，半导体中仍然存在非平衡载流子。由于电子和空穴的数目比热平衡时的增多了，它们在热运动中相遇而复合的机会也将增大。这时复合超过了产生而导致一定的净复合，非平衡载流子逐渐消失，最后恢复到平衡值，半导体又回到了热平衡状态