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19.1 电力电子器件 电力电子器件的符号 电力电子器件的主要性能指标：电压、电流、工作频率。 19.1.2 晶闸管 (1) 基本结构 (1) 基本结构 (2) 工作原理 (2) 工作原理 2. 双向晶闸管 3. 可关断晶闸管 19.1.3 功率晶体管、功率场效晶体管和绝缘栅双极型 晶体管 1. 功率晶体管GTR 19.2 可控整流电路 19.2.1 可控整流电路 工作原理 19.2.2 晶闸管的保护 1. 晶闸管的过电流保护 (1) 快速熔断器保护 (2) 过电流继电器保护 2. 晶闸管的过电压保护 (1) 阻容保护 19.2.3 单结晶体管触发电路 1. 单结晶体管 (2) 工作原理 2. 单结晶体管触发电路 (1) 振荡电路 (2) 振荡过程分析 3. 应用举例 电瓶充电机电路 工作原理 19.3 逆变电路 19.3.1 电压型单相桥式逆变电路 19.3.2 电压型三相桥式逆变电路 3. 负载相电压与线电压波形 19.3.3 正弦波脉宽调制 19.4 交流调压电路 例1：有一纯电阻负载，需要可调的直流电源：电压 UO = 0 ~ 180 V，电流 IO = 0 ~ 6 A。现采用单相半控桥式整流电路，试求交流电压的有效值，并选择整流元件。 解：设晶闸管导通角 ? 为 180?(控制角 ? = 0? )时，UO = 180 V，IO = 6 A，交流电压有效值 考虑到电网电压波动、管压降以及导通角常常到不了 180? 等因素，交流电压要比上述计算值适当加大 10% 左右，可取 220 V，因此可不用整流变压器，直接接到 220 V 的交流电源上。 为保证晶闸管在出现瞬时过电压时不致损坏，通常根据下式选取晶闸管的UDRM和URRM 。 因此，晶闸管可选用 KP5 ?7 型, 二极管可选用 2CZ5/300 型。 UDRM≥(2 ~ 3)UFM = (2 ~ 3) ? 310V = (620 ~ 930) V URRM≥(2 ~ 3)URM = (2 ~ 3) ? 310V = (620 ~ 930) V 晶闸管承受过电压、过电流的能力很差，这是它的主要缺点。 晶闸管的热容量很小，一旦发生过电流时，温度急剧上升，可能将PN结烧坏，造成元件内部断炉或开路。例如一只100A的晶闸管过电流为 400A 时，仅允许持续 0.02 s，否则将因过热而损坏； 晶闸管耐受过电压的能力极差，电压超过其反向击穿电压时，即使时间极短，也容易损坏。若正向电压超过转折电压，则晶闸管误导通，导通后的电流较大，使器件受损。 电路中加快速熔断器。当电路发生过电流故障时,它能在晶闸管过热损坏之前熔断，切断电流通路，以保证晶闸管的安全。 与晶闸 管串联 接在输入端 接在输出端 快速熔断器接入方式有三种，如下图所示。 (3) 过电流截止保护 在输出端(直流侧)或输入端(交流侧)接入过电流继电器，当电路发生过电流故障时，继电器动作，使电路自动切断。 在交流侧设置电流检测电路，利用过电流信号控制触发电路。当电路发生过电流故障时，检测电路控制触发脉冲迅速后移或停止产生触发脉冲，从而使晶闸管导通角减小或立即关断。 (2) 硒碓保护 利用电容吸收过电压。其实质就是将造成过电压的能量变成电场能量储存到电容中, 然后释放到电阻中消耗掉。 硒碓保护 (硒整流片) 晶闸管元件 的阻容保护 PN结 N型硅片 (a) 结构示意图 单结晶体管结构示意图及其符号 (b) 符号 (1) 结构 UE ? UBB+UD = UP 时， PN结反偏，IE很小； UE ≥UP时，PN结正向导通， IE 迅速增加。 ? ? 分压比(0.5~ 0.9) UP ? 峰点电压 UD ? PN结正向导通压降 等效电路 测量单结晶体管的实验电路 由图可求得 RE (3) 单结晶体管的伏安特性 Ip IV UP 峰点电压 UV 谷点电压 负阻区 截止区 饱和区 UE?UP后，大量空穴注入基区，致使IE增加,UE 反而下降，出现负阻区。 P UV、IV(谷点电压、电流): 维持单结晶体管导通的 最小电压、电流。 UP(峰点电压)： 单结晶体管由截止变为 导通所需发射极电压。。 V (1) UE UP时单结晶体管截止， UE UP时单结晶体管导通， UE UV时恢复截止。 单结晶体管的特点 (2) 单结晶体管的峰点电压UP与外加 固定电压 UBB及分压比 ?有关。对于分压比? 不同的管子，或者外加电压 UBB的数值不同时，峰值电压 UP 也就不同。 (3) 不同单