复旦-半导体器件-仇志军第二章双极型晶体管PN结讲解.ppt

*/149 2.7.1 晶体管的开关作用 2.7 开关特性11 5. 晶体管开关过程中的少子分布 3. 储存过程 ts p 正偏 正偏 n+ n? D p 零偏 正偏 n+ n? C 抽取基区、集电区超量储存电荷 A . . 延迟时间 上升时间 B C D 储存时间 下降时间 . . ?A ?A ?A ?A */149 2.7.1 晶体管的开关作用 2.7 开关特性12 5. 晶体管开关过程中的少子分布 4. 下降过程 tf p 零偏 正偏 n+ n? C p 反偏 弱正偏 n+ n? B p 反偏 反偏 n+ n? A A . . 延迟时间 上升时间 B C D 储存时间 下降时间 . . ?A ?A ?A ?A */149 2.7.2 电荷控制理论和晶体管开关时间 2.7 开关特性13 1. 电荷控制理论 交流小信号 ?? 线性放大区 （线性微分方程 ? 线性元件等效） 开关晶体管 ?? { 截止区 ? 饱和区 } 大信号过程（Ebers-Moll方程 ? 高度非线性） 电荷控制理论 ?? 少子连续性方程 基区少子电荷 ?? 基区电子电荷 Qb ? */149 2.7.2 电荷控制理论和晶体管开关时间 2.7 开关特性14 1. 电荷控制理论 定义 注入基区的净电子电流 净流出的电子电流 注入基区的净空穴电流 （电中性条件） 势垒电容充放电 少子扩散 扩散电容