半导体材料往年试题流出.docVIP

Two standard methods for investigating relaxation processes in solids — deep level transient spectroscopy (DLTS) and thermostimulated depolarization method (TSD) are analyzed. A complex formalism is introduced and numerically analyzed. Related features were revealed including a direct reflection of the shape of an arbitrary distribution of relaxation times by the DLTS/TSD response. The extraordinary resolution ability of the so-called step heating TSD is numerically demonstrated. A discussion is given of a new approach to the analysis of the DLTS spectra as well as TSD currents due to different relaxation mechanisms, namely in the case of a distribution of the activation energy. K e y w o r d s: deep level transient spectroscopy, thermally stimulated depolarization, relaxation process 硅单晶的制备方法主要有两种，一种是（直拉法），另一种是（悬浮区熔法）。 硅晶体中的化学键类型是（共价键），它的晶体结构为（金刚石结构）。 在Si，GaAs，InP中间接带隙的半导体材料是（Si）。 在Si，Ge，GaN中禁带宽度从大到小的排列顺序是（GaN Si Ge）。 在纯净的InP中掺杂S，这时InP为（n）型半导体，多数载流子为（电子）。 非晶态半导体的结构特征是（长程无序短程有序）。 在你了解的半导体材料或器件的电学表征技术中，列举两种（扫描电子显微镜（SEM））和（霍尔效应测试）。 Al掺杂调节GaAs禁带宽度， GaAs禁带宽度变宽还是变窄（宽)。 列举两种常见的半导体材料或器件的表征技术（高分辨率x射线衍射技术光致发光技术 如图，靶材料置于阴极，基片和阴极之间加电场，在电场垂直方向上加磁场，系统充满惰性气体。 成膜机理：稀有气体在低真空下放电获得正离子，在场的作用下轰击阴极的靶材料，溅射出靶原子，原子运动沉积在基片上，形成薄膜。 硅单晶的制备方法主要有两种，一种是（直拉法），另一种是（悬浮区熔法）。 硅晶体中的晶体结构为（金刚石结构），它的化学键类型是（共价键）。 在Si，GaAs，InP中直接带隙的半导体材料是（GaAs，InP ）。 在Si，Ge，GaN中禁带宽度从小到大的排列顺序是（ Ge Si GaN ）。 在纯净的InP中掺杂S，这时InP为（n）型半导体，多数载流子为（电子）。 非晶态半导体的结构特征是（长程无序短程有序）。 在你了解的半导体材料或器件的电学表征技术中，列举两种（SEM）和（XPS）。 In掺杂调节GaAs禁带宽度， GaAs禁带宽度变宽还是变窄（窄)。 列举两种常见的半导体材料或器件的表征技术（XRD）、（PL）。 MBE设备可制备出高质量的半导体薄膜材料，MBE字母代表的意思是（分子束外延）。 下图为Au-Ge相图。并以Au（20% atom percent）Ge(80% atom percent)合金为例， 解释其从熔融状态结晶的过程。 解释半导体材料中深能级杂质和陷阱的概念，它们一般在半导体能带中什么位置？ 深能级杂质：杂质电离能大，能级远离导带底或价带顶。 陷阱：是俘获一种载流子能力强，俘获另一种能力弱的一种深能级中心。 半导体材料分析过程中涉及五个基本特性，运用两到三个特性解释说明Si材料与其他半导体材料的差别。 晶体结构、能带结构、杂质和缺陷、电学特性、光学特性。 Si：禁带宽度1.106eV 熔点：1417 本征载流子浓度1.5*10^10 解释概念：自发成核。描述自发成核的成核功的表达式，解释