半导体物理的应用.docVIP

半导体物理在光电检测中的应用 摘要：在现代系统检测方法中，光电检测绝对占有着举足轻重的地位，而光电检测系统中的核心——光敏器材几乎全部是半导体材料。由此可见，半导体物理在这其中起着决定性的作用。本文将着重介绍一些基本的半导体光电检测器件和与电子科学与技术专业联系比较紧密的光纤检测技术。 关键字：光敏 PN结 光纤 正文 Ⅰ　光电检测技术的提出 现代科学技术的发展速度足够让前辈们认不得自己创始的学科了，在研究领域蓬勃发展欣欣向荣时，把理论运用到实际的过程较之以前，只会更加复杂。庞大的系统，无数的细节需要照料，由于现在的系统对精密性要求越来越高，使得任何的细枝末节一旦出错，就极大地影响最后工程的效能。于是，检测各个部件的性能就显得非常重要。因为如果能够保证加入到系统里的器件都是合格的，至少会减少出故障的可能；而如果能够有一套行之有效的检测办法，就可以在最短的时间了找到出错的地方，排除故障，降低损失。 在多年前，人们一直在使用直接检测方法，这种方法是自然而然的想法。但是正如上面所说的，由于系统的复杂，直接检测越来越不方便，甚至有些时候，就没办法检测了，所以必须另辟蹊径，于是传感器应运而生，其中光电检测技术被认为是最成熟、最具有发展潜力的传感器之一。 正如三十六计中的“明修栈道暗度陈仓”，光电传感器就是运用这种思想。如果直接检测待测量（陈仓）不方便，就在其它易测量（栈道）的帮助下到达目的。而光具有速度快，无处不在，来源广等优势，且电学量的直接测量可以说人类已经相当熟悉了，二者的结合，就使得光电检测技术的应用前景极为光明。① Ⅱ　半导体光电器件 光电导器件（光敏电阻器件）②　某些物质吸收光子能量后会产生本征吸收或者杂质吸收进而改变物质电导率的现象，称为物质的光电导效应。利用具有光电导效应的材料（如硅、锗等本征半导体与如硫化镉、硒化镉、氧化铅等杂质半导体）可以制成电导率随入射光辐射量变化而变化的器件，这种器件称为光电导器件或光敏电阻器件。 说起光敏电阻，恐怕只要学过高中物理的人都不会陌生。确实，这个是最古老，也是“知名度”最高的了。它直接利用了半导体材料的光电效应，即当有光线照射到光敏电阻其上时，它的电阻值会发生较大的变化，一般无光照时的电阻约1.5MΩ，而有光照时的电阻则只有几千欧。其使用材料中对可见光最为敏感的是硫化镉。光敏电阻由于其原理明了，结构简单，所以对工艺的要求较低，造价比较低，灵敏度高而且性能也很稳定，因而它最先获得了广泛的利用，但是由于它的结构太简单，使得其响应的速度相对很慢。 光生伏特器件　利用光生伏特效应制造的器件叫做光生伏特器件。光生伏特效应与光电导器件同属于内光电效应，然而两者的导电机理却相差很大。光生伏特效应是少数载流子导电的光电效应，而光电导效应却是多数载流子的光电效应，这就使得光生伏特器件具有暗电流小、噪声低、响应速度快、光电特性线性度好等特点，当然也存在微弱信号检测能力弱、光谱响应范围窄的缺点。 一 　光电池 光电池又叫做太阳能电池，它是直接把光能转化成电能的器件。现在用得最多的是硅光电池，其开路电压一般在0.45~0.6v之间，当照度在2000Lx以下时，开路电压与照度近似成线性关系，而在超过2000Lx时开始显示出非线性。其短路电流一般与照度呈线性关系，而受照面积越大，短路电流也越大，一般当照度在1000Lx以下时，短路电流在2~3mA/c㎡之间。光电池的优点在于性能稳定，光谱范围宽，频率特性好，传送效率高而且耐高混辐射，只是成本不菲。 二　 光敏二极管 光敏二极管利用了ＰＮ结的单向导电性，在ＰＮ结加上反向电压，再在光照下使其反向导通，其导通电阻会由几兆欧下降到几十甚至几千欧。光电二极管的材料主要有硅、锗、磷化铟等，从结构上来说，又分为ＰＮ型、ＰＩＮ型、雪崩型和肖特基型，其中用得最多是硅材料制成的ＰＮ结型光敏二极管。具体使用中，又有2CU和2DU两种，其中使用的更多的是2CU型，它是全封闭的，有金属壳，并且带有一个玻璃窗。光敏二极管具有体积小，质量轻，使用寿命长而且灵敏度比较高等特点。 三　光敏三极管 光敏三极管的思想与上述三者无异，都是通过光的照射量来控制电流的半导体器件。它的结构与一般的晶体三极管相似，其内部有两个ＰＮ结，其发射结与光敏二极管一样具有光敏特性，集电结与普通晶体管一样可以获得电流增益，因而与光敏二极管相比，它在把光信号转化成电信号的同时，又把信号进行了放大，也就具有了更加高的灵敏度。其用料与光敏二极管相似，也可以分为ＰＮＰ和ＮＰＮ两种类型。光敏三极管的光电流比较大，但是输出线性特性比较差，因而它一般使用在对灵敏度要求比较高，而且频率较低的系统。③ 四　半导体发光器件LED（发光二极管） LD（激光二极管） 1 LED发光原理④ 如图1所示，LED是由Ｐ型半导体和Ｎ型半导体组成的