半导体热电特性.docVIP

实验名称： 半导体热电特性综合实验 姓 名 学 号 班 级 桌 号 教 室 第一实验楼609 实验日期 20 年 月 日 节 一、实验目的：（实验前，必须要熟悉EXCEL计算功能！否则，难以实验。） 1.了解半导体热敏电阻、pn结电输运的微观机制。 2.测量半导体热敏电阻的电压-温度曲线；半导体p-n 结的电压-温度曲线； 3.了解半导体制冷电堆的制冷原理 4.学习用最小二乘法拟合热敏电阻的温度系数（热敏指数）和p-n结的禁带宽度。 5.了解计算机实时采集、应用EXCEL处理实验数据（自己提前学习）； 二、实验仪器 1 通讯线接口 2 温度显示窗口 3 电压显示窗口 4 制冷电流表 5 按键 6 测量线接口 7 温控线接口 8 指示灯 9 样品池 10 档位选择开关 注1. 正常开机后进入空闲状态，温度显示屏显示测量室的温度t (单位：℃)，电压显示屏显示当前被测样品在该温度下的电压降U(单位：mV)，被测样品的电阻值可用R＝U/I求出，I是被测样品通过的恒定电流，实验用仪器已经调整在20μA。 注2. 档位选择开关选为“V” 时电压窗口显示样品（硅热敏电阻）两端电压值；选为“△V” 时电压窗口显示样品（pn 结）两端电压值与基准电压的差值，基准电压已经调整为380mV，比如：窗口显示90 mV，则样品（pn 结）两端实际电压值是470 mV。） 三、实验原理 1 半导体热敏电阻的热电特性 （1）半导体材料的热电特性：其热电特性非常显著，因此，常用作温度传感器的材料。一般而言，在较大的温度范围内，半导体都具有负的电阻温度系数。半导体的导电机制比较复杂，起电输运作用的载流子为电子或空穴。载流子的浓度受温度的影响很大，因此半导体的电阻率受温度影响也很大。随着温度的升高，热激发的载流子数量增加，导致电阻率减小，因此呈现负的温度系数的关系。但是实际应用的半导体，往往通过搀杂工艺来提高半导体的性质，这些杂质原子的激发，同样对半导体的电输运性能产生很大的影响。同时在半导体中还存在晶格散射、电离杂质散射等多种散射机制存在，因此半导体具有非常复杂的电阻温度关系，往往不能用一些简单的函数概括，但在某些温度区间，其电阻温度关系可以用经验公式来概括，如本实验中用的半导体热敏电阻，它的阻值与温度关系近似满足下式： （1） 式中R0为T0时的电阻（初值）， R是温度为T时的电阻，T为绝对温度，B为温度系数（热敏指数）。B在工作温度范围内并不是一个严格的常数，但在一定的温度范围内，它的变化不大（我们实验所选测量范围就是在这个范围内）。 （2）用最小二乘法确定公式（1）中的B、 R0值： 将（1）式取对数得到： （2） 本实验采用最小二乘法确定经验公式，由直线拟合，得到B 和C 的值以及R0值 请写出用最小二乘法进行直线拟合时，B 和C 值以及线性相关系数的计算公式： B ＝ C ＝ R0＝ r= （线性相关系数） 2. p-n结的热电特性 （1）p-n结的热电特性 pn 结构成的二极管和三极管的伏安特性对温度有很大的依赖性，利用这一点可以制造pn 结温度传感器和晶体管温度传感器，本实验用的测温元件为二极管温度传感器。二极管的正向电流I、电压U 满足下式： （3） 其中q 为电子电荷；k 为玻尔兹曼常数；T 为绝对温度；Is 为反向饱和电流（和pn 结材料的禁带宽度以及温度等有关），可以证明 （4） 其中C 是与结面积、杂质浓度等有关的常数；r 也是常数；U0 为绝对零度时pn 结材料的导带底和价带顶间的电势差。将(6)式代入(5)式，两边取对数可得 （5） （2）由最小二乘法确定公式（7）中的U0及热电系数α 由于公式（5）中的非线性项 相对甚小，可以忽略.因此，（5）式可写成： （）1. 测热敏电阻t-s（温度-时间）、v-t（电压-温度）曲线，具