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2.1.1 半导体材料 其导电能力介于导体和绝缘体之间。常用的半导体材料有：元素半导体，如硅（Si）、锗（Ge）等；化合物半导体，如砷化镓（GaAs）等。以及掺杂或制成其它化合物半导体的材料。 半导体具有某些特殊性质：如压敏热敏及掺杂特性，导电能力改变。 2.1.4杂质半导体 （1）N型半导体 在本征Si和Ge中掺入微量V族元素后形成的杂质半导体称为N型半导体。 所掺入V族元素称为施主 杂质，简称施主 （能供给自由电子）。 （2）P型半导体： 在本征Si和Ge中掺入微量Ⅲ族元素后形成的杂质半导体称为N型半导体。所掺入Ⅲ族元素称为受主杂质，简称受主（能供给自由电子）。下图所示（图2-2） P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子。 少量掺杂，平衡状态下：ni2 =n0·p0 其中，ni 为本征浓度，n0 为自由电子浓度，p0 为空穴浓度 温度增加，本征激发加剧，但本征激发产生的多子远小杂质电离产生的多子。 ★半导体工作机理：杂质是电特性。 ★Si半导体比Ge半导体有更高的温度。因为同温度时，Si半导体比Ge半导体本征激发弱，更高的温度Si半导体才会失去杂质导电特性。 2.2 PN结的形成及特性 ★PN结：将P型和N型半导体采用特殊工艺制造成半导体半导体内有一物理界面，界面附近形成一个极薄的特殊区域，称为PN结。 PN结形成过程分解： 2.2.2 PN结的单向导电特性 无外接电压的PN结→开路PN结，平衡状态PN结 PN结外加电压时→外电路产生电流 1.正向偏置（简称正偏） PN结 PN结外加直流电压V：P区接高电位（正电位），N区接低电位（负电位）→正偏→正向电流 2.反向偏置（简称反偏） PN结反偏：P区接低电位（负电位），N区接高电位（正电位）。 ＊ 硅PN结的Is 为pA级 ＊ 温度T增大→ Is 3.PN结的伏安特性 （1）PN结的伏安特性曲线 2.3 半导体二极管 2.4 二极管基本电路及其分析方法 二极管是一种非线性器件，因而二极管一般要采用非线性电路的分析方法。在此主要介绍模型分析法。 简单的模型便于近似估算，较复杂的模型为借助计算机解题提供基础。 2.恒压降模型 如图所示，当二极管处于正向偏置时，其管压降认为是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7V。 为了较真实地描述二极管的伏安特性，在恒压降模型的基础上，作一定地修正，即二极管的压降，随电流的增加而增加，可以用一个电源和内阻rD来近似。 4. 微变电阻 rD iD uD ID UD Q ?iD ?uD rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比： 显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。 第二章 半导体二极管及应用电路 5. 二极管的极间电容 二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容CB和扩散电容CD。 势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。 第二章 半导体二极管及应用电路 扩散电容：为了形成正向电流（扩散电流），注入P 区的少子（电子）在P 区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P 区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。 P + - N 第二章 半导体二极管及应用电路 CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。 PN结高频小信号时的等效电路： 势垒电容和扩散电容的综合效应 rd 第二章 半导体二极管及应用电路 第二章 半导体二极管及应用电路 2.4.1 二极管正向伏安特性的建模 1.理想模型 如图所示，在正向偏置时，其管压降为0V，而当二极管处于反向偏置时，认为它的电阻为无穷大，电流为零。 在实际电路中，当电源电压远比二极管的管压降大时，利用此法来近似分析。 第二章 半导体二极管及应用电路 不过，这只有当二极管的电流iD近似等于或大于1mA时才是正确的。该模型提供了合理的近似，因此，应用也较广。 第二章 半导体二极管及应用电路 3.折线模型 第二章 半导体二极管及应用电路 4.小信号模型 由右图可看出未变电阻rD可直接得出，即 我们知道，二极管的伏安特性表达式 第二章 半导体二极管及应用电路 我们可以得出下式： 即 rD=UT/ID 第二章 半导体二极管及应用电路 2.5 特殊二极管 2.5.1