数字集成电路_4终稿.ppt

第四章 MOS反相器电路 4.1 电压传输特性 4.2 瞬态特性 4.3 电阻负载反相器的设计 4.4 NMOS晶体管作为负载器件 4.5 CMOS反相器 4.6 伪NMOS反相器 4.7 反相器的尺寸确定 4.8 三态反相器 4.1 电压传输特性 4.1 电压传输特性 4.1 电压传输特性 4.2 噪声容限的定义 单源噪声容限（SSNM） 与单个噪声源有关，对后面各级逻辑门都有影响 衡量标准：单级反相器在后面各级都能恢复其正确值（即再生能力）时所能承受的最大噪声值 反相器的单源噪声分析 反相器链中的噪声传播 图解法计算SSNM 多源噪声容限（MSNM） 多源噪声容限（MSNM） 无噪声系统的反相器输出方程式： 加入噪声vn后，输出为 输出函数的泰勒级数展开： 用单位增益点定义的噪声容限 4.2:瞬态特性 tf 输出电压从摆幅的90%降到10%的时间 Tr 输出电压从摆幅的10%升到90%的时间 Tpf 输入阶跃处 t1 时刻到输出电压降至50% Tpr 输入阶跃处 t2时刻到输出电压升至50% 瞬态特性 下降时间 瞬态特性(下降时间) 反相器下降时间分两部分一部分是Cout从VOH---VOL(nS);另一部分沟道电子渡越时间(pS) 只考虑放电时间,负载管的漏电流远小于ID 瞬态特性(下降时间) 瞬态特性(下降时间) 瞬态