电力半导体器件概要.ppt

◆晶体管的特性是：在低发射极电流下? 是很小的，而当 发射极电流建立起来之后，? 迅速增大。 ◆在晶体管阻断状态下，IG=0，而?1+?2是很小的。由上式 可看出，此时流过晶闸管的漏电流只是稍大于两个晶体管 漏电流之和。 ◆如果注入触发电流使各个晶体管的发射极电流增大以致 ?1+?2趋近于1的话，流过晶闸管的电流IA（阳极电流）将 趋近于无穷大，从而实现器件饱和导通。 ◆由于外电路负载的限制，IA实际上会维持有限值。 2 晶闸管的基本特性 ■静态特性 ◆正常工作时的特性 ?当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通 。 ?当晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通 。 ?晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用，不论门极触发电流是否还存在，晶闸管都保持导通 。 ?若要使已导通的晶闸管关断，只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。 ◆晶闸管的伏安特性 ?正向特性 √当IG=0时，如果在器件两端施加正向电压，则晶闸管处于正向阻断状态，只有很小的正向漏电流流过。 √如果正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通 。 √随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低，晶闸管本身的压降很小，在1V左右。 √如果门极电流为零，并且阳极电流降至接近于零的某一数值IH以下，则晶闸管又回到正向阻断状态，IH称为维持电流。 晶闸管的基本特性 ■动态特性 ◆开通过程 ?由于晶闸管内部的正反馈 过程需要时间，再加上外电路 电感的限制，晶闸管受到触发 后，其阳极电流的增长不可能 是瞬时的。 ?延迟时间td (0.5~1.5?s) 上升时间tr (0.5~3?s) 开通时间tgt=td+tr ?延迟时间随门极电流的增 大而减小,上升时间除反映晶 闸管本身特性外，还受到外电 路电感的严重影响。提高阳极 电压,延迟时间和上升时间都 可显著缩短。 ◆关断过程 ?由于外电路电感的存在，原处于导通状态的晶闸管当外加电压突然由正向变为反向时，其阳极电流在衰减时必然也是有过渡过程的。 ?反向阻断恢复时间trr 正向阻断恢复时间tgr 关断时间tq=trr+tgr ?关断时间约几百微秒。 ?在正向阻断恢复时间内如果重新对晶闸管施加正向电压，晶闸管会重新正向导通，而不是受门极电流控制而导通。 3 晶闸管的主要参数 ■电压定额 ◆断态重复峰值电压UDRM ?是在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向 峰值电压（见图1-8）。 ?国标规定断态重复峰值电压UDRM为断态不重复峰值电压（即 断态最大瞬时电压）UDSM的90%。 ?断态不重复峰值电压应低于正向转折电压Ubo。 ◆反向重复峰值电压URRM ?是在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向 峰值电压（见图1-9）。 ?规定反向重复峰值电压URRM为反向不重复峰值电压（即反向 最大瞬态电压）URSM的90%。 ?反向不重复峰值电压应低于反向击穿电压。 2.3.3 晶闸管的主要参数 ◆通态峰值电压UTM ?晶闸管通以某一规定倍数的额定通态平均电流时的瞬态峰值电 压。 ◆通常取晶闸管的UDRM和URRM中较小的标值作为该器件的额定电压。 选用时，一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压2~3倍。 ■电流定额 ◆通态平均电流 IT(AV） ?国标规定通态平均电流为晶闸管在环境温度为40?C和规定的冷 却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半 波电流的平均值。 ? 按照正向电流造成的器件本身的通态损耗的发热效应来定义的。 ?一般取其通态平均电流为按发热效应相等（即有效值相等）的 原则来选取晶闸管的电流定额。 2.3.3 晶闸管的主要参数 ◆维持电流IH ?维持电流是指使晶闸管维持导通所必需的最小电流， 一般为几十到几百毫安。 ?结温越高，则IH越小。 ◆擎住电流 IL ?擎住电流是晶闸管刚从