电子技术第7章概要.ppt

￥二极管引脚识别及性能简易测试 二极管性能简易测试 可使用万用表电阻档通过测量二极管的正、反向电阻值，来判别其阳极、阴极。 可使用万用表R×1k、R×100档对二极管性能进行简易测试。 例 如图，通过稳压管的电流IZ等于多少？ 解： UR=20-12=8V IZ=IR=8/1.6=5mA18mA 若R1=12k?，I1=? IZ=？ R1=12k? I1=？ I1=UZ/R1=12/12=1mA IZ=IR-I1=5-1=4mA +20V IZ R=1.6k? Uz=12V IZM=18mA + DZ - IR 7.5.1 基本结构 半导体三极管(晶体管)是最重要的一种半导体器件。广泛应用于各种电子电路中。 晶体管最常见的结构有平面型和合金型两种。平面型都是硅管、合金型主要是锗管。它们都具有NPN或PNP的三层两结的结构，因而又有NPN和PNP两类晶体管。 其三层分别称为发射区、基区和集电区，并引出发射极(E)、基极(B)和集电极(C)三个电极。三层之间的两个PN结分别称为发射结和集电结。 7.5 晶体管 N型硅 P型 N型 二氧化硅保护膜 C B E 平面型结构 N型锗 铟球 铟球 P型 P型 C E B 合金型结构 N N P 集电结 发射结 集电区 发射区 基区 C B E N P P 集电区 发射区 基区 集电结 发射结 C B E B E C B E C 7.5.1 基本结构－－（注意工艺条件） 可以互换吗？ 杂质多 尺寸大 ++ + - -- - + 为了了解晶体管的放大原理和其中电流的分配，我们先做一个实验，实验电路如图所示。 RB uA mA mA IB IE EB EC IC 把晶体管接成两个电路： 1、基极电路 2、集电极电路 发射极是公共端，因此这种接法称为晶体管的共发射极接法。 （注意偏置条件） 通过实验及测量结果，得： (1). IC(或IE)比IB大得多，(如表中第三、四列数据) 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 IE(mA) 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 IC(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 IB(mA) 工艺条件＋偏置条件 晶体管加上一定的电压为什么就会有放大作用呢？ 要了解这个问题，就要从晶体管的内部运动规律来解释。 1、发射区向基区扩散电子 内部载流子运动规律 形成发射极电流 IE 放大作用的内部条件：基区很薄且掺杂浓度很低。 2、电子在基区的扩散和复合 基极电流IBE ? IB 7.5.2 电流放大作用 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE IC IB ICBO 要使晶体管起放大作用，发射结必须正向偏置、集电结 必须反向偏置——具有放大作用的外部条件。 3、集电区收集扩散电子 形成集电极电流ICE ? IC 由电流分配关系示意图可知发射区向基区注入的电子电流IE将分成两部分ICE和IBE，它们的比值为 它表示晶体管的电流放大能力，称为电流放大系数 7.5.2 电流放大作用 少子运动形成反向截止电流 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO IC IB 在晶体管中，不仅IC比IB大很多；当IB有微小变化时还会引起IC的较大变化。 根据晶体管放大的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置。则 对于NPN型晶体管 且 对于PNP型晶体管 且 B E C ++ + - B E C -- - + 7.5.2 电流放大作用 7.5.3 特性曲线 共发射极接法 ?A V mA V EC RB IB UCE UBE IC EB 晶体管的特性曲线是表示一只晶体管各电极电压与电流之间关系的曲线。是应用晶体管和分析放大电路的重要依据。 1. 输入特性曲线 当UCE为常数时的IB与UBE之间的关系曲线。 0 0.4 20 0.8 40 60 80 UBE(V) IB(?A) UCE?1V 3DG6的输入特性曲线 死区电压？ 导通电压？ ?A V mA V EC RB IB UCE UBE IC EB 7.5.3 特性曲线 2. 输出特性曲线 晶体管的恒流特性 是在IB为常数时，IC与UCE之间的关系曲线。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 0 ?A V mA V EC RB IB UCE UBE IC EB 7.5.3 特性曲线 (1) 放大区 也称线性区。此时发射结正向偏置，集电结