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化学机械抛光工艺（CMP） 摘要：本文首先定义并介绍CMP工艺的基本工作原理，然后，通过介绍CMP系统，从工艺设备角度定性分析了解CMP的工作过程，通过介绍分析CMP工艺参数，对CMP作定量了解。在文献精度中，介绍了一个SiO2的CMP平均磨除速率模型，其中考虑了磨粒尺寸，浓度，分布，研磨液流速，抛光势地形，材料性能。经过实验，得到的实验结果与模型比较吻合。MRR模型可用于CMP模拟，CMP过程参数最佳化以及下一代CMP设备的研发。最后，通过对VLSI制造技术的课程回顾，归纳了课程收获，总结了课程感悟。 关键词： CMP、研磨液、平均磨除速率、设备 Abstract： Key word: CMP、、、 1.前言 随着半导体工业飞速发展，电子器件尺寸缩小，要求晶片表面平整度达到纳米级。传统的平坦化技术，仅仅能够实现局部平坦化，但是当最小特征尺寸达到0.25μm以下时，必须进行全局平坦化。常见的传统平面化技术很多。如热流法，旋转玻璃法，回蚀法，电子环绕共振法，选择淀积，低压CVD，等离子增强CVD,淀积-腐蚀-淀积法等。但它们都属于局部平面化工艺，不能做到全局平面化。90年代兴起的化学机械抛光技术（CMP）则从加工性能和速度上同时满足硅片图形加工的要求，其也是目前唯一可以实现全局平坦化的技术[1]。 2.基本原理 2.1 CMP定义