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1.电力电子基础知识：（1）电子技术包括信息电子技术和电力电子技术两大分支。通常所说的模拟电子技术和数字电子技术都属于信息电子技术。（2）具体地说，电力电子技术就是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。电力电子器件的制造技术是电力电子技术的基础，而变流技术则是电力电子技术的核心。（3）变流技术：输出 输入交流（AC）直流（DC）直流（DC）整流直流斩波交流（AC）交流电力控制、变频、变相逆变（4）电力电子技术的诞生是以1957年美国通用电气公司研制出第一个晶闸管为标志的。晶闸管是通过对门极的控制能够使其导通而不能使其关断的器件，属于半控型器件。对晶闸管电路的控制方式主要是相位控制方式，简称相控方式。采用全控型器件的电路的主要控制方式为脉冲宽度调制（PWM）方式。相对于相位控制方式，可称之为斩波控制方式，简称斩控方式。2. 电力电子器件电力电子器件是指可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。电力电子器件处理的电功率较大，一般都工作在开关状态，而且需要驱动电路，一般都安装散热器。 通态损耗（通态压降）（1）功率损耗 断态损耗（断态漏电流） 开通损耗开关损耗 关断损耗（2）分类 半控型：晶闸管（可控硅）按照能被控制程度 全控型：门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）绝缘栅双极晶体管（IGBT）电力场效应晶体管（Power MOSFET） 不可控：电力二极管按照驱动信号性质：电流驱动型和电压驱动型（3）电力电子器件不可控型——电力二极管：工作原理：二极管的基本原理——PN结的单向导电性。为了承受高电压和大电流：采用垂直导电结构使得硅片中通过电流的有效面积增大，可以显著提高二极管的通流能力；在P区和N区之间多了一层低掺杂N区，可以承受很高的电压而不致被击穿。反向击穿（雪崩击穿和齐纳击穿）、热击穿结电容（势垒电容和扩散电容）影响PN结的工作频率半控型——晶闸管：使晶闸管导通的条件：晶闸管承受正向电压，且门极有触发电流。（）维持晶闸管导通的条件：晶闸管的电流大于维持电流。关断晶闸管：只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到维持电流以下。通态平均电流——最大工频正弦半波电流的平均值，选取晶闸管电流额定时留一定的裕量（1.5—2倍）；通态电压——选取晶闸管额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压2—3倍。全控性GTO（门极可关断晶闸管）：导通时饱和程度不深，更接近于临界饱和；关断时需要抽取饱和导通时储存的大量载流子。GTR（电力晶体管）：基极电流控制集电极电流。耐压高、电流大、开关特性好。工作时不能超过最高电压、集电极最大电流和最大耗散功率，也不能超过二次击穿临界线。电力MOSFET（电力场效应晶体管）：栅极电压控制漏极电流。漏极电压下降而栅极电压维持不变的过程（密勒平台）。不存在少子储存效应，因而其关断过程是非常迅速的。IGBT（绝缘栅双极晶体管）:栅射电压IGBT开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小开关速度低于电力MOSFET,电压，电流容量不及GTOGTR耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题GTO电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低电 力MOSFET开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置问答题整理使晶闸管导通的条件？维持晶闸管导通的条件？怎么关断晶闸管？答：晶闸管承受正向电压，且门极有触发电流。（）；晶闸管的电流大于维持电流；只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到维持电流以下。2．有源逆变状态的条件是什么？答：条件有二：①直流侧要有电动势，其极性须和晶闸管的导通方向一致，其值应大于变流电路直流侧的平均电压；②要求晶闸管的控制角，使为负值。3． 什么是逆变失败？如何防止逆变失败？答：逆变运行时，一旦发生换流失败，外接的直流电源就会通过晶闸管电路形成短路，或者使变流器的输出平均电压和直流电动势变为顺向串联，由于逆变电路内阻很小，形成很大的短路电流，称为逆变失败或逆变颠覆。防止逆变失败的方法有：采用精确可靠的触发电路，使用性能良好的晶闸管，保证交流电源的质量，留出充足的换向裕量角β等。4. 单相桥式全控整流电路、三相桥式全控整流电路中，当负载分别为电阻负载或电感负载时，要求的晶闸管移相范围分别是多少？答：单相桥式全控整流电路，当负载为电阻负载时，要求的晶闸管移相范围是0 ~ 180°，当负载为