晶体管第三章3讲解.ppt

Institute of Microelectronics Circuit System --*-- 第三章 双极结型晶体管 -- Ш.晶体管的功率特性 大注入时 电流集边效应使工作基区局限在发射结边缘下面,基极电流流经的路程缩短,因此基极电阻将减小. 2)发射极有效条宽 3)电流集边效应对 及rbb’的影响 Institute of Microelectronics Circuit System --*-- 第三章 双极结型晶体管 -- Ш.晶体管的功率特性 4)发射极单位长度的电流容量—单位发射极长度内不发生大注入效应和基区扩展效应的最大电流。记为i0 (1)要防止大注入效应的 开关管i05A/cm; 一般放大管i0:0.5～1.5A/cm; 线性放大管i00.5A/cm (2)对于高频大功率外延管 高频大功率管i0:～0.4A/cm 5) 发射极金属条最大长度 Institute of Microelectronics Circuit System --*-- 晶体管的热学性质 *大功率管输出功率受两方面限制：a.电学参数 b.热学参数 1) 耗散功率 晶体管工作时，电流通过发射结、集电结、体串联电阻都会产生功率耗散,总耗散功率： 第三章 双极结型晶体管 -- Ш.晶体管的功率特性 电路输出功率： ：转换效率，主要决定于管子在电路中工作情况 * 结温 升高，使反向饱和电流 、 ，pn结正向电压 ，会使管击穿 Institute of Microelectronics Circuit System --*-- 2) 结温与热阻 最高结温 ：晶体管能正常、长期可靠工作的pn结温度。 第三章 双极结型晶体管 -- Ш.晶体管的功率特性 单位时间内从集电结传导到周围环境的热能ＰＴd与温差成正比： 类同电路中欧姆定律 最大允许耗散功率： 热平衡时单位时间内产生的热能 与传递的热能相等，即： 对于大功率管，提高 的措施: （１） 降低内电阻；　（２）外加有良好导热性和大的表面积的散热片； （３）风冷、水冷、油冷等 Institute of Microelectronics Circuit System --*-- 1) 晶体管的二次击穿 晶体管工作在最大耗散功率范围内时，仍可能发生击穿而被烧毁，一般认为，这是由于晶体管的二次击穿所引起的，是功率管毁坏的主要原因。 第三章 双极结型晶体管 -- Ш.晶体管的功率特性 A( , ) 雪崩击穿：一次击穿 、非破坏性的 二次击穿：出现明显的负阻现象 、不 可恢复性损坏 分别为二次击穿临界电流、临界电压、临界功率 主要原因:正向(电流集中型)二次击穿和反向(雪崩击穿型)二次击穿 5. 晶体管的安全工作区 Institute of Microelectronics Circuit System --*-- 2） 晶体管的安全工作区SOA 定义：指晶体管能安全可靠的工作，并具有较长寿命的工作范围。 第三章 双极结型晶体管 -- Ш.晶体管的功率特性 功率晶体管直流安全工作区 Institute of Microelectronics Circuit System --*-- 第四节 晶体管的开关特性 晶体管的静态特性/直流开关特性 开关电路中,晶体管共射连接应用最广。 第三章 双极结型晶体管 *e(t)=+EB时， 导通 *e(t)=-EB时，两结均反偏 ，截止 1) 晶体管的开关作用 Institute of Microelectronics Circuit System --*-- 非饱和开关：以放大区作为导通状态的开关 饱和开关： 以饱和区作为导通状态的开关，接近理想开关 晶体管的开关作用：通过基极来控制信号，使晶体管在导通与截止间转换来实现。 第三章 双极结型晶体管 --Ⅳ 晶体管的开关特性 2) 饱和区特性 在饱和区工作的晶体管可以看作是正向、倒向两个状态管的合成结果。 正向 临界饱和，倒向管无电流 饱和时， 不变， * * * Institute of Microelectronics Circuit System --*-- 第三章 双极结型晶体管 对于共射电路: -- I.晶体管的直流特性 输出特性 共基电路-- 共射电路-- Institute of Microelectronics Circuit System --*--