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蒸发原理图 白膜：宽度为16cm,粘性随温度的升. 高增加; 贴膜 激光打在蓝宝石衬底上，所用激光为紫外光，波长为355nm。 划片 为了更好的把圆片裂开，需要让激光打在管芯轨道的中央位置，调节激光的焦距，使激光聚焦在片子上表面，激光的划痕深度尽量在25-30um。 蓝膜：宽度22cm 倒膜时衬底朝上，有电极的一面朝下。 倒膜 裂片前我们在片子上贴一层玻璃纸，防止裂片时刀对管芯的破坏。 裂 片 设 备 裂片 把裂片后直径为两英寸的片子扩成三英寸，便于后序的分拣工作 扩膜 测试分拣 测试 分拣 VF（正向电压） IR（反向漏电流） WLD（波长） LOP（光输出） 经过分拣的管芯就可以进行封装，成为一个个的LED. 以上就是LED芯片制作的一般过程，不同厂家的芯片在制程上可能有一些差别 求职应注意的礼仪 求职时最礼貌的修饰是淡妆 面试时最关键的神情是郑重 无论站还是坐，不能摇动和抖动 对话时目光不能游弋不定 要控制小动作 不要为掩饰紧张情绪而散淡 最优雅的礼仪修养是体现自然 以一种修养面对两种结果 必须首先学会面对的一种结果----被拒绝 仍然感谢这次机会，因为被拒绝是面试后的两种结果之一。 被拒绝是招聘单位对我们综合考虑的结果，因为我们最关心的是自己什么地方与用人要求不一致，而不仅仅是面试中的表现。 不要欺骗自己，说“我本来就不想去”等等。 认真考虑是否有必要再做努力。 必须学会欣然面对的一种结果----被接纳 以具体的形式感谢招聘单位的接纳，如邮件、短信 考虑怎样使自己的知识能力更适应工作需要 把走进工作岗位当作职业生涯的重要的第一步，认真思考如何为以后的发展开好头。 Thank you LED芯片制作流程 报告内容 1.概况 2.外延 3.管芯 LED芯片结构 MQW=Multi-quantum well,多量子阱 LED 制造过程 衬底材料生长 LED结构MOCVD生长 芯片加工 芯片切割 器件封装 Sapphire蓝宝石 LED制程工艺 步骤 内容 前段 外延片衬底及外延层生长 中段 蒸镀、光刻、研磨、切割过程 后段 将做好的LED芯片进行封装 LED三个过程：材料生长、芯片制备、器件封装。 外延片制作 衬底 外延 可用LED衬底 1.GaAs衬底 2.Al2O3衬底 3.SiC衬底 4.Si衬底 GaAs衬底 GaAs衬底：在使用LPE (液相磊晶)生长红光LED时，一般使用AlGaAs外延层，而使用MOCVD生长红黄光LED时，一般生长AlInGaP外延结构。 优点 晶格匹配，容易生长出较好的材料 不足 吸收光子 蓝宝石Al2O3衬底 优点 化学稳定性好 不吸收可见光 价格适中 制造技术相对成熟 不足 导电性能差 坚硬，不易切割 导热性差 SiC衬底 优点 化学稳定性好 导电性能好 导热性能好 不吸收可见光 不足 价格高 晶体品质难以达到Al2O3和Si那么好 机械加工性能比较差 吸收380 nm以下的紫外光，不适合用来研发380 nm以下紫外 LED 目前国际上能提供商用的高品质的SiC衬底的厂家只有美国CREE 公司。 Si衬底 优点 晶体品质高 尺寸大 成本低 易加工 良好的导电性 良好的导热性和热稳定性 不足 由于GaN外延层与Si衬底之间存在巨大的晶格失配和热失配，以 及在GaN的生长过程中容易形成非晶氮化硅，所以在Si 衬底上很难得到无龟裂及器件级品质的GaN材料。 硅衬底对光的吸收严重，LED出光效率低。 Si衬底制备流程 长晶 切片 抛光 退火 → → → 外延生长 蓝宝石 缓冲层 N-GaN p-GaN MQW 在半导体基片上形成一个与基片结晶轴同晶向的半导体薄层，称为半导体外延生长技术，所形成的薄层称为外延层 P、N极的分离表现为元素掺杂度的不同 外延生长方法 依制程的不同，可分为LPE(液相磊晶)、MOCVD(有机金属气相磊晶)及MBE(分子束磊晶)。 LPE的技术较低，主要用于一般的发光二极管 MBE的技术层次较高，容易成长极薄的磊晶，且纯度高，平整性好，但量产能力低，磊晶成长速度慢。 MOCVD除了纯度高，平整性好外，量产能力及磊晶成长速度亦较MBE为快，所以现在大都以MOCVD来生产。 MOCVD 其过程首先是将G