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1X射线衍射学基础

1 X射线衍射物相分析 1.1 X射线衍射学基础 肉眼看不见,但可使照相底片感光,使荧光物质反光,使气体电离; 能穿透可见光不能穿透的物质; 直线行进在电场和磁场中,不发生偏转,对普通光栅不产生衍射; 对生物体有较强的损害作用。 1.1.2 X射线的产生及其特征 (2)X射线谱 X射线波长vs相对强度 连续X射线谱: 具有连续波长的X射线谱。(白色) 谱线特征: X射线相对强度随其波长改变而连续变化; 在短波方向有一波长极限: 短波限 ?0 随管电压增高,相对强度增大,但谱形相似;最大强度约在1.5?0 。 谱线特征: 连续X射线谱上叠加若干条具有一定波长的谱线。 随管电压增大,特征谱线波长不变,仅整个谱线强度增加。 原子的标识X射线谱的产生 K系(辐射)X射线谱: K?:L层电子向K层空位跃迁辐射的X射线(几率高而强度最大,约为K? 的5倍); K?:M层电子向K层空位跃迁辐射的X射线(几率小而能量高波长短); K?:N 层电子向K层空位跃迁辐射的X射线。 L系(辐射) X射线谱: L?:M层电子向L层空位跃迁辐射的X射线; L?:N层电子向L层空位跃迁辐射的X射线; …… 以上各系共同构成该原子的标识X射线谱。 在X射线晶体衍射工作中,主要利用的是K系辐射。 因K层电子与原子核的结合能最大,故发生K系激发时,必伴随其它各系的激发和辐射,但均因强度较弱、波长很长而只能观测到K系辐射。 标识X射线波长和强度 显然,此X射线的波长仅与原子序数有关(标识),又称为单色X射线。 强度与管电流 i 和管电压V 有关: 散 射 吸 收 激发K系光电效应时,X射线光子的能量必须大于(其临界值应等于)为击出一个K层电子所作的功: 在不同的场合,对于λK 有不同的要求: 衍射分析用单色X射线时,激发(管)电压的选择由阳极靶材料的K系激发限决定: 透 射 式中: I0 — 入射X射线的强度; IH — 通过厚度为H的物质后X射线的强度; μ — 线衰减系数:表示单位体积物质对X射线强度的衰减程度; μm — 质量衰减系数:表示单位重量物质对X射线的衰减程度。 常用阳极靶与配用滤波片(《测试方法》P13表1-2) X射线与物质的相互作用(小结) 1.1.4 晶体结构 在极射赤平投影面上: 水平晶面的投影点位于基圆的中心; 直立晶面的投影点位于基圆的圆周; 倾斜晶面的投影点位于基圆内(且晶面倾角越小越近水平,投影点越近圆心)。 (《固体材料结构基础》P116图3-54,55) 立方晶胞{100}的极点 {100}的极射投影 光源在(-100)晶面的极点上 (《结晶学》P36图3-11) 与(幻灯)屏幕垂直的一组晶面的赤平极射投影: (这组晶面的法线均平行于屏幕平面) 上半球的极点 × 下半球的极点 定义:倒点阵的三个基矢与晶体点阵(又称正点阵)基矢的关系为 (1.10) 1.1.4.3 倒易点阵 (1.11) 式中:a、b、c——正点阵的三个基矢 a*、b*、c*——倒易点阵的三个基矢 V——点阵阵胞体积 :a×b ·c 或用另一种形式: (1.12) 由式1.10 知:倒易基矢(矢量)垂直于其同指数晶面。 如: ∵ a* 同时垂直于b和c,即垂直于bc构成的平面——(100) ∴ a*⊥(100) 换言之:倒易矢量总是与其同指数晶面的法线方向平行 —— 指示晶面取向。 由式1.11 可得倒易基矢的标量形式,以求取倒易基矢的长度: (1.13) 式中:φ、ψ、ω 分别为倒易基矢与其同指数基矢之间的夹角。 (恰如式1.13中所对应) 显然,式1.10和式1.11确定了倒点阵基矢的长度和方向,因此,由其定义的倒点阵与原点阵是一一对应和互为倒易的。 图中为一简单三斜点阵的单位平行六面体。 倒易点阵的原点与原点阵原点重合,且 c*⊥(001)

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