氧化铝及硅作为LED封装基板材料的热阻比较分析.doc

氧化铝及硅作为LED封装基板材料的热阻比较分析 高功率LED散热一直是一个难题，困扰着LED技术人员，图1为目前高功率LED封装使用的结构，LED芯片会先封装在导热基板上，再打金线及封胶，这LED封装结构体具备轻巧，高热导及电路简单等优点，可应用在户外及室内照明。基板的选择中，氧化铝 （Al2O3） 及硅 （Si） 都是目前市面上已在应用的材料，其中氧化铝基板因是绝缘体，必须有传导热设计，藉由电镀增厚铜层达75um;而硅是优良导热体，但绝缘性不良，必须在表面做绝缘处理。 ? ?　　图1、LED封装结构 氧化铝基板及硅基板目前皆已应用于高功率LED的封装，由于LED发光效率仍有待提升，热仍是使用LED灯具上必须解决的重要问题，因此LED导热功能必须仔细分析。要分析导热功能必须使用热阻仪来量测，以下的分析将细分LED封装体结构，包括芯片层，接合层及基板层，来分析每层热阻，分析工具则是目前世界公认最精确的T3Ster仪器。 本文将简单解析氧化铝基板及硅基LED板封装在热阻的表现 （T3Ster仪器实测），其中专有名词定义如下： Rth: 热阻，单位是 （oC/W），公式为T / KA; T: 导热基板的厚度 （um）； K: 导热基板的导热系数 （W/mC）； A: 导热面积 （mm x mm）。 ? ? 　　图2、E公司氧化铝基板的LED封装热阻分析 ?将氧化铝应用在LED封装主要是因为氧化铝材料高绝缘性及可制作轻小的组件，然而，氧化铝基板应用在电子组件，会因为氧化铝材料导热系数低（约20K/W），造成高热阻。图2为T3Ster 热阻仪测试E公司氧化铝基板封装LED（ LED area: 1 x 1 mm; LED emitter: 3.15x3.5 mm）） 的结果，在25 oC环境温度下测试时，各封装层的热阻如下： 1、Chip: 2 oC/W 2、Bonding layer : 3 oC/W 3、氧化铝基板： 20 oC/W （高热阻， 基板制作不佳） 当175mA小电流通入在1 x 1 mm2的LED芯片上，氧化铝基板因热阻的温升为10.5oC（=20x175mAx3.0V）， 热不易传导出LED芯片；当350mA电流通入在1 x 1 mm2的LED芯片上， 氧化铝基板因热阻的温升为23oC（=20 x 350mAx3.3 V），此时氧化铝基板会无法将热传导出LED芯片，LED芯片会产生大量光衰； 而当500 mA大电流通入在1 x 1 mm2的LED芯片上时，氧化铝基板因热阻的温升大约为36 oC（20 x （500 Ax3.6 V），此时氧化铝基板也会无法将热传导出LED芯片，LED芯片会快速光衰。因此，LED芯片封装若选择氧化铝基板，因其热阻高，封装组件只适合使用在低功率（~ 175 mA, 约0.5W）。 ? ? ?　　图3、R公司氧化铝基板的LED封装热阻分析 ?图3为T3Ster 热阻仪测试氧化铝基板封装LED（ LED area: 1 x 1 mm; LED emitter: 3.15x3.5 mm）） 的结果，在25 oC环境温度下测试时，各封装层的热阻如下： 1、Chip : 2 oC/W 2、Bonding layer : 1.5 oC/W 3、氧化铝基板 : 4.7 oC/W （氧化铝基板厚度： 400um, 铜层厚度75um） 当175mA小电流通入下，其基板因热阻温升为4.7 oC; 当电流来到 350mA,基板温升为6.9 oC,当500mA电流通入时，基板温升大约为8.1oC, 及当700mA大电流通入下，基板因热阻温升大约为11oC. 当氧化铝基板温升大于8 o C, 此时氧化铝基板会不易将热传导出LED芯片，LED芯片会快速光衰。 LED芯片封装在氧化铝基板，封装组件只适合始使用功率 （~ 350mA, 约 1watt）。 ?? ? 图4、VisEra硅基板LED封装热阻分析 ?应用以硅为导热基板的LED封装，如图4所示，在3.37 x3.37 mxm2 的小尺寸面积上，具有快速导热的性能， 可大幅解决因为使用氧化铝造成的高热阻问题。以精密的量测热阻设备 （T3Ster）量测到的热阻值，在25 oC环境温度下测试时，各封装层的热阻如下： 1、Chip: 1 oC/W 2、Bonding layer: 1.5 o C/W 3、Si substrate: 2.5 o C/W 当大电流 （700 mA） 通入在1 x 1 mm2 的LED芯片上， 硅基板因热阻的温升为 6. 3 oC （=2.5 x 700mA x 3.6 V），硅基板会快速将热传导出LED芯片，LED芯片只会有小量光衰。硅藉由优良导热性能将热传导出LED芯片，LED芯片会只会有小许光衰。因此，LED芯片