13第六章：技术磁化理论1摘要.ppt

第六章：技术磁化理论 第一节 磁化过程概述 6-2 可逆壁移磁化过程 * 磁性物理学 本章学习要点： 1、理解畴壁位移、畴壁转动磁化机制以 及各种磁化过程中 受到的主力作用。 2、了解描述各种磁化过程理论。 3、能计算静态磁性参数，掌握改善这些 参数应遵循的规律、途径。 4、理解计算磁化曲线的基本原理，能计 算简单的磁化曲线。 磁化过程：磁体在外场作用下，从磁中性状态到饱和状态的过程。 技术磁化：在缓慢变化或低频交变磁场中进行磁化。（所考虑的是磁化已经达到稳定状态的问题） 获得磁中性状态的方法： 交流退磁：无直流磁场，对磁体施加一定强度的交变磁场，并将其振幅逐渐减小到零。 热致退磁：将磁体加热到Tc 以上，然后在无H时冷却下来。 一、磁化曲线的基本特征 抗磁性、顺次性、反铁磁性的磁化曲线均为一直线。 铁磁性、亚铁磁性磁化曲线为复杂函数关系。 磁化曲线可分为五个特征区域： 1、起始磁化区 H很小，可逆磁化过程 M ＝ χiH B ＝ μ0 μiH （ μi＝1+ χi） 2、Rayleigh区 仍属弱场范围，其磁化曲线规律经验公式： H 起始磁化区 陡峭区 趋近饱和区 Rayleigh区 M 3、陡峭区 中场H范围。M变化很快。 是不可逆磁化过程，发生巴克豪森跳跃的急剧变化，其χ 与 μ 均很大且达到最大值——又称最大磁导率区。 4、趋近饱和磁化区 强H，M变化缓慢，逐渐趋于技术磁化饱和。符合趋于饱和定律： 5、顺磁磁化区 需极高的H，难以达到。在技术磁化中不予考虑。 二、磁化过程的磁化机制 1、磁化过程大致可以分为四个阶段： (1)、可逆磁化阶段： 若H退回到零，其M也趋于零。同时存在： a、畴壁位移（金属软磁材料和 μ 较高的铁氧体中以此 为主）。 b、磁畴磁矩转动（在 μ 不高的铁氧体中以此为主）。 (2)、不可逆磁化阶段 主要指不可逆壁移 (3)、磁畴磁矩的转动 此时样品内壁移已基本完毕，要使M增加，只有靠磁畴磁矩的转动来实现。 一般情况下，可逆与不可逆畴转同时发生与这个阶段。 (4)、趋近饱和阶段 ΔM很小，M的增加都是由于磁畴磁矩的可逆转动造成的 H 起始磁化阶段 磁畴磁矩转动阶段 趋近饱和阶段 不可逆磁化阶段 M 2、反磁化过程 磁滞回线 铁磁体的不可逆磁化?磁滞?磁滞回线 H M O Mr -HC +HC Mm 一、壁移磁化机制 在有效场作用下，自发磁化方向接近于H方向的磁畴长大，而与H方向偏离较大的近邻磁畴相应缩小，从而使畴壁发生位置变化。 其实质是：在H作用下，磁畴体积发生变化，相当于畴壁位置发生了位移。 1800壁位移磁化过程如图： 说明H作用下，壁移磁化的物理本质是畴壁内每个磁矩向着H方向逐步地转动 1、壁移磁化的动力 设单位面积的1800壁，在位移作用下位移Δx 。 2、壁移的阻力 壁移过程中，由铁磁体的内部能量发生变化，将对壁移产生阻力。 阻力来源于铁磁体内的不均匀性。 ① 内应力起伏的分布： ②成分的起伏分布（如杂质、气孔、非磁性相） 壁移时，这些不均匀性引起铁磁体内部能量大小的起伏变化，从而产生阻力。 二、应力阻碍畴壁运动的壁移磁化（应力理论） 当铁磁体内存在不均匀性的内应力时，壁移时将会在磁体内引起磁弹性能与畴壁能变化。 即：壁移磁化处于稳定状态时，动力＝阻力。 1、1800壁移磁化方程 Fσ 对1800壁移不构成阻力，阻力主要来自于应力起伏引起的畴壁能密度改变。 2、900壁移磁化方程 设内应力起伏引起的Fσ 影响大于Eω ，阻力主要来自于磁弹性能的增加。 三、含杂理论 杂质的作用： 杂质的穿孔作用：畴壁位移经过杂质处时，畴壁面积变化引起畴壁能的变化，从而对壁移形成阻力。 退磁场作用：壁移时，杂质周围退磁场能发生变化，会形成对壁移的阻力。 实际材料中，若杂质尺寸很小且Ms低，则杂质对壁移形成的阻力作用主要为穿孔作用引起的畴壁能变化，故可略去退磁场作用。 即：壁移磁化过程中磁位能的降低等于杂质穿孔导致的畴壁能的增加。 第三节 可逆畴壁位移的起始磁化率 精确计算χi 非常复杂，只能在