半导体三极管.doc

半导体三极管 半导体三极管又称晶体三极管，简称晶体管或三极管，又称为双极型三极管（简称BJT）PN结叫发射结，集电极和基极之间的PN结叫集电结。 图1－8 三极管的符号 我们可以利用数字万用表的“二极管档”对三极管的两个PN结进行简单的测试，测量方法和二极管相同，由于C、E之间有两个“背靠背”的PN结，所以C、E的正、反向电阻都很大。 三极管放大必须具备的外部条件是：发射结正偏，集电结反偏，提供偏置电压的电路叫偏置电路，NPN、PNP的偏置电路如图1—9所示。 图1－9三极管的偏置 (a) NPN三极管的偏置 (b) PNP三极管的偏置 “发射结正偏，集电结反偏”具体到NPN三极管就是：UCUBUE；PNP三极管就是：UCUBUE。 三极管的特性曲线 三极管外部各极电流和电压的关系曲线，称为三极管的特性曲线。特性曲线全面反 映了各极电流与电压之间的关系，它是分析和计算三极管电路的依据之一。 对于三极管不同的连接方式，有不同的特性曲线，下面讨论最常用的共射极接法的输入特性和输出特性曲线。 输入特性曲线 当三极管的集电极和发射极之间的电压UCE为某一定值时，基极电流IB与发射结电压UBE之间的关系，称为三极管的输入特性，通常可利用晶体管特性测试仪测出。图1－10是硅NPN型三极管的输入特性曲线。 图1－10 输入特性曲线 图1－11 输出特性曲线 当UCE＝0（集电极与发射极短路）时，输入特性与二极管正向伏安特性相似。当UCE增大时，曲线将向右移，实际上，当UCE增大到一定值（例如2V）以后，曲线变化不大，几乎重叠在一起。 由图1－10可以看出，三极管的输入特性曲线与二极管的正向特性相似，也有一段死区电压，硅管约为0.5V，V。在正常工作时，硅管的发射结电压约为0.6～0.7V，锗管约为0.2V～0.3V(PNP型管均取负值)。 输出特性 当三极管的基极电流IB为某一定值时，集电极电压UCE和集电极电流IC之间的关系，称为三极管的输出特性。对应于IB的每一个确定值均有一条输出特性曲线，如图1－11所示。 从图中观察三极管的工作状态可分为三个区域，现分别讨论如下： 截止区 一般把IB≤0的区域称为截止区,这时IC≈0。为了使三极管截止，常在发射结上加反向电压，这样三极管截止时，发射结和集电结均反偏。 放大区 在图中曲线平坦区域，IB的微小变化引起IC很大的变化，且IC的变化基本上与UCE无关，IC只受IB控制——电压控制电流源，因此把这一区域称为放大区。三极管工作在放大区时，发射结正偏，集电结反偏。 饱和区 曲线靠近纵轴的区域是饱和区。此时发射结与集电结均处于正向偏置。这时的IC已达到饱和程度，不受IB的控制，三极管失去了电流放大作用。饱和时集电极与发射极之间的压降称为饱和压降UCES，其值很小（硅管约为0.3V，锗管约为0.1V）IC，集电极与发射极之间可以认为近似“开路”，如同一个断开的开关。所以，三极管工作在饱和区、截止区时，通常称三极管工作工作在“开关”状态。 三极管的主要参数及其温度影响 三极管的主要参数 共射极直流电流放大系数 三极管在共射极接法时，集电极的直流电流IC 与基极直流电流IB的比值，就定义为三极管的共射极电流放大系数 (或hFE)。 （1－2） .共射极交流电流放大系数β 当有信号输入时，三极管处于动态工作状态，此时IB，IC将发生变化。当集电极电压UCE一定时，集电极电流的变化量与基极电流变化量的比值，称为交流电流放大系数 ，用β或hfe表示。 （1－3） 在三极管正常工作时，≈β，所以我们经常利用这种近似关系进行计算。 极间反向电流 (1) ICBO .指发射极开路时，集电极－基极间的反向饱和电流。 (2) ICEO 指基极开路时，集电极－发射极之间的穿透电流，且有 ICEO＝（１＋β）ICBO （1－4） 选用三极管时，一般希望极间反向电流越小越好，以减少温度的影响，硅管的反向电流比锗管小2～(1) 集电极最大允许电流ICM 当IC超过某一数值后，β值将明显下降，此时IC的值即为集电极最大允许电流ICM。 （2）集电极最大允许耗散功率PCM PCM与三极管的工作温度和散热条件有关，三极管不能超温使用。在使用中集电极的平均功耗不得超过PCM。 （3）反向击穿电压 集电极开路时，发射结的反向击穿电压U(BR)EBO 发射极开路时，集电结的反向击穿电压U(BR)CBO 基极开路时，集—射极之间的反向击穿电压U(BR)CEO 通常，三极管的U(BR)EBO较小，只有几伏，有的甚至不到1V，U(BR)CBO是集电结所允许加的最高反向电压，一般为几十伏，有的可达几百伏甚至上千伏；U(BR)CEO介于二者之间，一般为几伏至几十伏。 为了保证三极管能安