集成电路与器件工艺原理概要.ppt

.人员产生最大尘埃粒径 动作 粒径 揉纸、折叠 65微米 檫塑料表面 40微米 拧螺丝钉 30微米 圆珠笔在普通纸上写字 20微米 洁净服：专用防静电锦纶丝混纺布料（如 南韩产58028布料）。 纯水（DI水） 1.定义：不含颗粒、微生物、有机物、金属离子、CL离子的洁净水。 2.纯水测量（根据测其电阻率来判断是否达标） 3.纯水制备方法：一般要用反渗透技术脱盐，用离子交换树脂去除正负离子，用紫外 灯灭菌，还可采用电渗析技术，用渗透膜做超过滤。 DI水的测量 测量温度 电阻率（最大） 0度 86兆欧厘米 20度 23.92兆欧厘米 25度 18.24兆欧厘米 30度 14兆欧厘米 工业特气 工业特气可达100多种，用几个“9”来表示纯 度，如三个“9”，表示纯度为99.9%，依次 类推。特气若不纯，可形成劣质氧化膜， 有机物杂质可形成炭微粒，造成漏电。 .静电防护。 1.静电的产生： A.两种不同的固体接触并突然分离，即可产生静电。（电子将跑向原子核引力较强的固体。） B.液体流动起电。 C.微尘造成气体带电。 .静电的消散： 向空气放电； 向大地放电。 3.静电电位与相对湿度有关。 例如：人在塑料椅子上坐，当湿度为15%时，静电电位可达18000V；而当湿度为70%时，静电电位就只有1500V了。可见合适的湿度是多么重要。 从光刻胶附着性、静电防护、抑菌等方面考虑，一般以50%为宜。 4.静电的主要危害：吸尘，放电，火灾，电 击，（静电达3000V时人有感觉。） 5.防静电措施：适当增加湿度，采用防静电 材料（地板，工作台，工作服，工作鞋 等。） 化学试剂的纯度 工业纯，化学纯，分析纯，优级纯，光谱 纯，MOS级，电子级。 越向后，纯度越高。 APCVD的缺点： 1.硅片水平放置，量产受限，易掉渣污染。 2．反应速度受多种因素影响，反应室尺寸、气体流速、硅片位置等都会影响速度。 3．均匀性不太好。 LPCVD的优势： 1．在低压下，反应速率基本上由温度决定，而温度较易控制，故均匀性、重复性好。 2．在低压下，化学反应效率高，故片子可竖装密排，提高了装片量又防止了掉渣。 3．设备简单，基本上与扩散炉相似。 .磷硅玻璃PSG淀积： 化学反应式： SiH4 + PH3 + O2 ----》SiO2 + P2O5 + H2； 或：SiH4 + PH3 + N2O ----》.SiO2 + P2O5 + H2 + N2。 .LPCVD生长Si3N4： 化学反应式：SiH4 + NH3 ----》Si3N4 + H2 或：Si H2Cl2 + NH3 ----》Si3N4 + HCl + H2 PECVD生长SiON膜：在已经有了金属层以 后，我公司钝化层常采用低温生长氮氧化 硅.的方法。 反应式：SiH4 + N2O+ NH3 ----》SiON + N2 + H2。 炉温为380℃。 .多重内连线与平坦化工艺 双层铝连线工艺：在IC的结构较复杂以 后，为解决交叉布线问题，特设计了双铝 层。 双铝层之间的绝缘，采用了SiON---SOG--- SiON的三明治结构。 SiON的应力较小，SOG主要解决平坦化问题 .SOG涂覆工艺：这是旋转—ON--玻璃的缩 写，实际上是SiO2和有机溶剂的混和液， 可用与涂胶机相似的设备，在硅片上涂一 层，可填平片子表面的台阶，可先在热板 上烤一下，再经400℃固化，成为一层氧化 膜。工艺简单实用。 化学清洗原理（兼谈化学试剂的安全使用） 硅片清洗的必要性:半导体对杂质极其敏感，百万分之一微量杂质，就会有物理性质的改变。污染是绝对的，故必须清洗。 另外从图形的纳米化的角度讲，任何小的颗粒对芯片而言就像一座大山。 二.硅片表面洁净度 1.硅片表面状态： 理想表面； 洁净表面（真空中剥SiO2的表面）； 真实表面（有薄氧化层几十埃）； SiO2表面（SiO2200埃）。 2.污染源: 硅片成型过程中的污染----（切、磨、抛过程）。 环境污染----微粒（尘埃；纤维、金属屑、皮屑；微生物等） /有害气体 水污染。/ 化学试剂污染。/气