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* Micro-System 　　　　　　　微系统加工制造技术之 刻蚀加工技术(Etching Technology) 干法刻蚀技术 湿法刻蚀技术 对刻蚀加工方法的基本要求 刻蚀加工表面形貌 各种刻蚀加工方法概述 各种干法刻蚀加工方法列表 各种干法刻蚀加工方法列表 物理刻蚀----溅射腐蚀和离子铣蚀(Sputter etching Ion Milling) 　　　溅射腐蚀和离子铣蚀都是利用放电时所产生的高能（≥500eV）惰性气体离子（如Ar+）对材料进行物理轰击，即气体放电把能量提供给轰击粒子，使它们以高速运动与衬底相碰撞，这时，能量通过弹性碰撞传递给衬底原子，当这能量超过结合能时就能撞出衬底原子，由于这种腐蚀是通过动量向衬底原子转移而实现的，所以溅射或离子腐蚀的速率与轰击粒子的动量、通量密度及入射角有关。此外，还与靶（衬底）的溅射效率有关。溅射效率(或产额)是给定材料的特征参数，定义为单位入射轰击粒子从衬底撞出的原子数。溅射效率可查表。 　　　溅射腐蚀与离子铣蚀的区别在于：若腐蚀过程是在平板式溅射系统或反应离子腐蚀器中完成的，就称作溅射腐蚀。离子束铣蚀是指在一个系统中离子的形成、离子加速系统与被腐蚀的材料分开放置的一种方法。离子铣蚀系统可以直接控制轰击材料表面的离子入射角。而在普通的溅射设备中，离子是受内建电场的驱动垂直入射的。离子束铣蚀系统的适用性较强，并易于操作；它既能用于腐蚀半导体，也能用于腐蚀绝缘体；只要分别调节灯丝电流和加速电压，就可以独立地控制离子能量及离子密度。 　　　虽然溅射腐蚀和离子束铣蚀都具有高的分辨率，但它们的共同缺点是选择性不够好。 离子束刻蚀或离子束铣装 置(equipment for Ion beam etching or Ion beam milling) 装置需要三极的配置，气体获得能量而电离与离子加速分别用不同的电极进行，为了能够刻蚀绝缘体，还可以另外设立一个热阴极释放电子以使阳离子中性化。IBE通常使用惰性气体Ar作为作用物质，因为它不仅溅射产额高(重离子)，同时可以避免化学反应。在溅射腔中真空度高达10-4 Torr，所以自由程大。放电电压一定要高于气体的电离电势(比如对于Ar来说使15.7eV)，并且实际上通常使电离电势的数倍，大约40-50V以获得稳定的辉光放电。然后离子倍导向加速电极，加速后成离子束射向下部腔体并刻蚀样品。一般用1-keV能量1.0mA/cm2束流密度的Ar离子束、对大部分材料(比如硅、氧化物、氮化物、光刻胶和金属等)刻蚀率多在100-3000A/min。惰性气体离子束刻蚀的分辨率可以高达100A。 磁加强的IB(MIB)、等离子体中的离子密度被磁场加强、荷电粒子不能直接从一个电极到达另外一个电极、而是在电磁场作用下作曲线运动、增加了碰撞几率。比如经过计算、100-eV电子0.01Tesla(100Gauss)磁场中的回旋半径为3.2mm。此时粒子浓度提高2个数量级。 如果上述系统中Ar改成反应气体、则是RIBE、其中不仅物理碰撞而且包含化学反应。稍后将会解释。 IBE通常1.5keV能量、电流密度25mA/cm2束径3-8cm。 FIB则可以作直接描画。 物理刻蚀的型貌改变 理想的情况是膜版的形状被准确的复制到样品表面、各向同性刻蚀总是会扩大形状。化学各向异性刻蚀蚀利用晶向选择性、所以只有准确与晶向对准才能得到准确的形状、利用粒子溅射可以用等离子体状态来控制各向异性刻蚀。 但是溅射也会因实际情况存在型貌精度问题。 由于溅射率角度依存性导致斜面化 即使开始时光刻胶是垂直壁，也会有在胶边缘产生斜面的倾向。实际上胶边缘总是会成图示圆角，圆角处刻示率较高所以消耗快，原因是入射角60度时刻蚀率比正入射高1倍。经过图示几个阶段的变化，最后影响得到的样品型貌。 Ditching现象 当光刻胶侧面不垂直于样品表面时(经常会这样)，粒子在侧面的掠射会导致根部刻蚀速度快的问题。当然据估计只有5%，所以在刻蚀深度不太大的情况下不会太严重。 Redeposition现象 物理刻蚀总结 在物理刻蚀中，包括离子刻蚀或溅射和离子束刻蚀，Ar离子等惰性气体被电离后在电场中加速后导向衬底实现刻蚀。能量高适用面广、但选择性差、刻蚀率在每分钟数百唉(比RIE每分钟数千唉到6um每分要慢)。需要注意的问题有Facets、ditching和redeposition。由于能量高、所以有时会有结构的轰击损伤、但一般热处理可以消除。随着器件复杂化、包含各种化学成分、惰性离子