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功函数和接触电势差
第三节 功函数和接触电势差
本节主要内容:
4.3.1 功函数
4.3.2 接触电势差
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接触电势:两块不同的金属A和B相接触,或用导线连接起来,两块金属就会彼此带电产生不同的电势VA和VB,这称为接触电势。
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电子在深度为E0的势阱内,
要使费米面上的电子逃离金属,至少使之获得?=E0-EF的能量,?称为脱出功又称为功函数。脱出功越小,电子脱离金属越容易。
§4.3 功函数和接触电势差
4.3.1 功函数
1.功函数
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发射电流密度:
2.里查孙-德西曼公式
热电子发射:电子从外界获得热能逸出金属的现象称为热电子发射。
---里查孙-德西曼公式
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电流密度:某点电流密度大小等于通过与该点场强方向垂直的单位截面积的电流强度。
电流强度:等于单位时间内通过导体某一横截面的电量。
经典理论求电流密度。
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电流密度
t时间内通过S截面的电量为:
按照索末菲自由电子论如何求热电子发射电流密度呢?
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分布函数f(E)
可到达金属表面的电子数
电流密度
可到达金属表面的电子数
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而?kBT,
(3)可到达金属表面的电子数
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---里查孙-德西曼公式
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4.3.2 接触电势差
由图可得电势差和功函数的关系式:
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上式说明两块金属的接触电势差来源于两块金属的脱出功不同,而脱出功表示真空能级和金属费米能级之差,所以接触电势差来源于两块金属的费米能级不一样高。
理论推导上式。
设两块金属的温度都是T,当他们接触时,每秒内从金属A和金属B的单位表面积所溢出的电子数分别为:
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若?B ?A,则VA0, VB0,两块金属中的电子分别具有附加的静电势-eVA和-eVB,这时两块金属发射的电子数分别为:
当达到平衡时,
接触电势差:
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