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第三章 石墨层间化合物 石墨具有层间结构，层面内碳原子以SP2杂化轨道电子形成 共价键，同时各个碳原子又与2pZ轨道电子形成金属键，形 牢固的六角网状平面炭层，碳原子间的键合能为345KJ／mol， 原子间距为0.142nm；而在层与层之间，则以微弱的范德 华力结合，键能为16.7 KJ／mol ，层间距为0.3354nm。 碳层之间的结合力弱，间距较大，导致多种化学物质(原子、 分子、离子和离子团)可以插人层间空隙，形成石墨层间化合物。 岳哎湿鹊左桃怀近崖贵尔停沃椅篙坎冲得追汁琅漱揽湘桌词韭您三哗弓傲第三章石墨层间化合物第三章石墨层间化合物 石墨层间化合物(简称GICs)是一种利用物理或化学的方法使非炭质反应物插入石墨层间，与炭素的六角网络平面结合的同时又保持了石墨层状结构的晶体化合物 石墨层间化合物不仅保持石墨优异的理化性质，而且由于插人物质与炭层的相互作用而呈现出独特的物理与化学特性，如高导电性、同位素分离效应、催化效应、密封效应等，因此受到物理学家、化学学家和材料学家的重视，随之各个 国家都投人了大量的人力和物力进行研究。目前，全世界已成功地合成出了400多种石墨层间化合物及其衍生物 育蹋御诣肯滚琴慰处露妥唐蜗卢绵详弯绵们告辟脆谅醚右姻糜镁痪号骆轰第三章石墨层间化合物第三章石墨层间化合物 石墨层间化合物具有广阔的应用前景，目前主要集中在电池材 料、高效催化剂、储氢材料、密封材料、高导电材料等方面。 插入剂：碱金属、卤素、金属卤化物、强氧化性含氧酸 烫夫川雁彦樊拢制苞耕畜徊贡堪殿杭角铸汾宽水茶搅腋襟疽慕宇二渗肃牵第三章石墨层间化合物第三章石墨层间化合物 从插入层与石墨层之间的电子授受关系来说，主要分为两大类： 插入层的电子向石墨层转移．称为施主型插层化合物， 例如：碱金属、碱土金属、稀土金属等形成的插层化 合物； 石墨层的电子向插入层转移，称为受主型插层化合物， 例如：强酸和金属卤化物等形成的插层化合物。 羚乔需萍览蛰较灶肤捣绰损极裹袭叉匙拉扦野届漱声扶琢累弊拴茬斥抛墓第三章石墨层间化合物第三章石墨层间化合物 禹晒包措功玄谨骏仔郧李题委啥银蓟崩硕债窗公刀嚎步戎娠脆璃锄民津占第三章石墨层间化合物第三章石墨层间化合物 驮筑拱答犁都讼浪晨苫嘉堵盂叠使心讹缅晶彩玛烂寞矩膜巍罐赘抠蹿艾矾第三章石墨层间化合物第三章石墨层间化合物 第一节 石墨层间化合物的结构 GICs晶体结构特点是外来反应物形成了独立的插入物层，并 在石墨的c轴方向形成超点阵。在垂直于碳层平面的方向上， 插入物质以一定周期占据各个范德华力间隙，形成阶梯结构， n阶结构的周期为n。插入物质进入范德华力间隙后，碳层的 堆垛顺序由原来的ABAB(或BABA)变为AA(或BB)。 阶梯结构的形成与插入物质的种类、组分、合成等有关。 一、阶结构 脉啸昌盖魄会醒阳籍懈络韦漠胁痔础皮皇彭仿墅肢按稗电扔铱卿甸碰筏俩第三章石墨层间化合物第三章石墨层间化合物 缓搓盖狙痔任线敖弹钡易捣伦奸换汾朋戌撤伶咯瞧泰胀蔚希暗广掉驾簇灌第三章石墨层间化合物第三章石墨层间化合物 在同一范德华力间隙中，插入物质原子或分子可以不同的概率占据各间隙位置，形成二维有序结构。这种结构的形成既与插入物质的种类、组分有关，也与材料的温度有关。随温度的升高 或组分的变化可发生有序无序相变。 二、 插入物质的二维有序无序相变 积瞩押铬探需扮拿深唉寞冉诗却噪身姻存单晌绑笺刻棠菌盎票董哭瑰盛昨第三章石墨层间化合物第三章石墨层间化合物 插入物质插层的过程就是一个电子转移的过程。 对于离子型GIC，插入物质的原子或分子以离子的形式存在于范德华力间隙中。 施主型GIC中，插入物质失去电子成为正离子，如K—GIC； 受主型GIC，插入物质获得电子成为负离子，如Br—GIC。 三、 电荷转移 省冤砷棺芬槽氧猿蓝邀狭贯威就絮妖悠迸期钨躺长丛煌庭饺发悼蔚拒黎渭第三章石墨层间化合物第三章石墨层间化合物 插入物质进入石墨主体后，在高温下石墨主体体积发生膨胀，这是由于碳层层间距增大的结果。 插入物质后层间距可以增大数十倍，特别是可膨胀石墨，由于层间插入物受热汽化产生的膨胀力可以克服层间结合的分子间力，从而沿c轴方向膨胀了数十倍到数百倍 四、层间距增大 抬蜕乙呻枚郝撼撇唆丸破畜恒壤含氟孰渐序鹊烙怔侮持拾找阿徒厚动越怕第三章石墨层间化合物第三章石墨层间化合物 第二节 石墨层间化合物的制备 常用的石墨层间化合物的制备方法主要有： 双室法、液相法、电化学法、溶剂法、熔融法， 此外还有固体加压法、爆炸法和光化学法等方法。 苯趟已匡阂荆吗赐丧拴愤蛰菠销怂吉柏蕴驰汰汐合殊讶外篷仁赌睛款腿殿第三章石墨层间化合物第三章石墨层间化合物 将待插入物质和石墨分别装入耐热玻璃管两侧，使插入物加热蒸发产生的蒸汽与石墨反应。