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第五章 离子注入低温掺杂 离子注入技术优点 离子注入技术主要有以下几方面的优点： （1）注入的离子是通过质量分析器选取出来的，被选取的离子纯度高，能量单一，从而保证了掺杂纯度不受杂质源纯度的影响即掺杂纯度高。 （2）注入剂量在1011一1017离子／cm2的较宽范围内，同一平面内的杂质均匀度可保证在±1％的精度。大面积均匀掺杂 （3）离子注入温度低，衬底一般是保持在室温或低于400℃。因此，像二氧化硅、氮化硅、光刻胶,铝等都可以用来作为选择掺杂的掩蔽膜。对器件制造中的自对准掩蔽技术给予更大的灵活性，这是热扩散方法根本做不到的。 离子注入技术优点 （4）离子注入深度是随离子能量的增加而增加。 可精确控制掺杂浓度和深度 （5）根据需要可从几十种元素中挑选合适的N型或P型杂质进行掺杂。能容易地掺入多种杂质 （6）离子注入时的衬底温度较低（小于600℃ ），这样就可以避免高温扩散所引起的热缺陷。同时横向效应比热扩散小得多。 （7）表面浓度不受固溶度限制，可做到浅结低浓度 或深结高浓度。 离子注入技术缺点 会产生缺陷，甚至非晶化，必须经高温退火加以改进 设备相对复杂、相对昂贵（尤其是超低能量离子注入机） 有不安全因素，如高压、有毒气体 基个概念： （1）靶：被掺杂的材料。 （2）一束离子轰击靶时，其中一部分离子在靶面就被反射，不能进入靶内，称这部分离子为散射离子，进入靶内的离子成为注入离子。 离子注入掺杂分为 两个步骤： ---离子注入 ---退火再分布。 离子注入 在离子注入中，电离的杂质离子经静电场加速打到晶圆表面。在掺杂窗口处，杂质离子被注入裸露的半导体本体，在其它部位杂质离子则被半导体上面的保护层屏蔽。 通过测量离子电流可严格控制剂量。 通过控制静电场可以控制杂质离子的穿透深度。 退火处理 通常，离子注入的深度较浅且浓度较大，必须使它们重新分布。同时由于高能粒子的撞击，导致硅结构的晶格发生损伤。 5.2 离子注入原理 ?在离子注入的设备中，用“等离子体发生器” 来制造工艺所要注入的离子。 ?因为离子带电荷，可以用加速场进行加速，并且借助于磁场来改变离子的运动方向。 当具有高能量的离子注入到固体靶面以后，这些高能粒子将与固体靶面的原子与电子进行多次碰撞，这些碰撞将逐步削弱粒子的能量，最后由于能量消失而停止运动，形成一定的杂质分布。 离子在硅体内的注入深度和分布状态与射入时所加的电场强度、离子剂量、衬底晶向等有关 通常，在离子剂量和轰击次数一致的前提下，注入的深度将随电场的强度增加而增加。 用离子注入法形成的分布，其浓度最大值不在硅片表面，而是在深入硅体一定距离。这段距离大小与注入粒子能量、离子类型等有关。 离子注入的沟道效应 沟道效应（Channeling effect） 当离子沿晶轴方向注入时，大部分离子将沿沟道运动，几乎不会受到原子核的散射，方向基本不变，可以走得很远。 沿 110 轴的硅晶格视图 沟道效应的存在，将使得对注入离子在深度上难以控制，尤其对大规模集成电路制造更带来麻烦。如MOS器件的结深通常只有0.4um左右，有了这种沟道效应万一注入距离超过了预期的深度，就使元器件失效。因此，在离子注入时，要考虑到这种沟道效应，也就是说要抑止这种现象的产生。 减少沟道效应的措施 目前常用的解决方法有三种 （1）是将硅片相对注入的离子运动方向倾斜一个角度，7度左右最佳； （2）是对硅片表面铺上一层非结晶系的材料，使入射的注入离子在进入硅片衬底之前，在非结晶层里与无固定排列方式的非结晶系原子产生碰撞而散射，这样可以减弱沟道效应；（表面用SiO2层掩膜） （3）是用Si, Ge, F, Ar等离子对硅片表面先进行一次离子注入，使表面预非晶化，形成非晶层 (Pre-amorphization) 然后进入离子注入。 这三种方法都是利用增加注入离子与其他原子碰撞来降低沟道效应。工业上常用前两种方法。 离子注入机分类 离子注入系统的组成 离子源 （Ion Source) 磁分析器 (Magnetic analyzer) 加速管 （Accelerator) 聚焦和扫描系统 (Focus and Scan system) 工艺腔(靶室和后台处理系统Target Assembly) 注入材料形态选择 离子源（Ion Source) 用来产生离子的装置。原理是利用灯丝(filament)发出的自由电子在电磁场作用下，获得足够的能量后撞击分子或原子，使它们电离成离子，再经吸极吸出，由初聚焦系统聚成离子束，射向磁分析器 分析磁体 高能注入机的线形加速器 扫描系统 离子注入机的终端口 5.