表面改性技术在陶瓷材料中的应用.docVIP

表面改性技术在陶瓷材料中的应用 引言: 材料表面处理是材料表面改性和新材料制备的重要手段,材料表面改性是目前材料科学最活跃的领域之一。传统的表面改性技术,方法有渗氮、阳极氧化、化学气相沉积、物理气相沉积、离子束溅射沉积等。随着人们对材料表面重要性认识的提高,在传统的表面改性技术和方法的基础上,研究了许多用于改善材料表面性能的技术,主要包括两个方面:利用激光束或离子束的高能量在短时间内加热和熔化表面区域,从而形成一些异常的亚稳表面;离子注入或离子束混合技术把原子直接引进表面层中。陶瓷材料多具有离子键和共价键结构,键能高,原子间结合力强,表面自由能低,原子间距小,堆积致密,无自由电子运动。这些特性赋予了陶瓷材料高熔点、高硬度、高刚度、高化学稳定性、高绝缘绝热性能、热导率低、热膨胀系数小、摩擦系数小、无延展性等鲜明的特性。但陶瓷材料同样具有一些致命的弱点,如:塑性变形差,抗热震和抗疲劳性能差,对应力集中和裂纹敏感、质脆以及在高温环境中其强度、抗氧化性能等明显降低等。 正文: 陶瓷材料表面改性技术的应用 不同添加剂对陶瓷材料性能的影响。 由于陶瓷材料的耐高温特性经常被应用到高温环境中,特别是高温结构陶瓷,其高温抗氧化性受到人们的关注。Si3N4是一种强共价结合陶瓷,具有高硬度、高强度、耐磨和耐腐蚀性好的性能。但是没有添加剂的Si3N4几乎不能烧结,陶瓷材料的高温强度强烈地受材料组成和显微结构的影响,而材料的显微结构特别是晶界相组成是受添加剂影响的,晶界相的组成对高温力学性能的影响极其敏感。对致密氮化硅而言,坯体中的物质传递对材料的氧化起着决定性作用,一般认为,在测试条件下,具有抛物线规律的氮化硅材料,其决定氧化的主要因素取决于晶界的添加剂离子和杂质离子的扩散速率,不同的添加剂对氮化硅陶瓷的氧化行为影响有所不同。 2．离子注入技术。 离子注入就是用离子化粒子,经过加速和分离的高能量离子束作用于材料表面,使之产生一定厚度的注入层而改变其表面特性。可根据需要选择要注入的元素,并根据工艺条件控制注入元素的浓度分布和注入深度,形成所需要的过饱和固溶体、亚稳相和各种平衡相,以及一般冶金方法无法得到的合金相或金属间化合物,可直接获得马氏体硬化表面,得到所需要的表面结构和性能由于形成的改性表面不受热力学条件的限制(相平衡、固溶度),所以具有独特的优点。离子注入表面处理技术有:金属蒸汽真空弧离子源离子注入,等离子源注入等。在相同的条件下,重离子比轻离子有更强烈的辐射硬化,因此其对抗弯强度的增加更显著;由于单晶的表面缺陷少所以增加效果更好。 3．脉冲等离子技术。 脉冲等离子体在表面改性中的应用使表面改性技术有了新的发展。脉冲高能量密度等离子体是一种脉冲等离子体能量束,它主要由充、放电系统和轴等离子体枪组成。在充放电过程中引起内电极材料的蒸发和溅射,等离子体中因而包含内电极材料的粒子(含离子)。当脉冲高能量密度等离子体轰击到样品时,在其表面的瞬间作用产生高压和高温,样品表面处于熔融状态,等离子体在样品表面发生离子注入与沉积,使得样品表面形成一层与基体性质和结构不同的薄膜材料,从而使其得到改性表面。立方氮化硼是自然界不存在的亚稳相化合物,有极强的化学和热稳性,其硬度仅次于金刚石,而耐热性优于金刚石,因而用于许多领域,但很难合成。高能量的等离子体与材料表面作用时,所产生的一系列物理和化学过程给氮化硼的形成提供了条件,瞬间作用带来的高温高压,有利于以荷能离子形式存在的氮化硼在此间形成氮化硼晶核。 4．镀层。 随着微电子技术的快速发展,电子设备趋向薄、轻、短、网络化和多功能化,电子线路也越来越复杂,这样使得电路在工作时会产生大量的热量,为了不使电子元件因热聚集和热循环而损坏,散热就成了必须解决的问题。解决的方法是让热量通过与半导体元件相连接的具有高的热导率的基片散发出去。化学镀、激光镀等技术被应用于半导体材料的金属化,半导体材料在使用以前,要使其表面金属化,即在其表面敷上一层金属薄层,使其能用简易的焊接工艺与金属导电层连接成一体。化学镀具有覆盖能力强的特点,对于复杂工件的各个部位可以得到较均匀的镀层,且化学镀有优良的深镀能力,可以大大减少镀件盲孔、深孔内的无镀层现象。 陶瓷涂层的制备 随着现代科技的不断发展,对材料的要求也越来越高,不仅要具有抗疲劳、抗震动抗温度急变等性能,而且要具有耐高温、耐腐蚀、高硬度、高化学稳定性等性能,而传统的单一金属材料或单一的陶瓷材料都不能满足这些要求。在金属基体上制备陶瓷涂层,能把陶瓷材料的特点和金属材料的特点有机地结合起来,获得既有金属强度和韧性,又有陶瓷材料耐高温、耐腐蚀等优点的复合材料,越来越受人们的重视。 1．热喷涂 热喷涂作为表面工程学的一个重要组成部分,是表面防护和表面强化的新技术。它利用氧乙炔(