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光伏电池等效电路 拦万宵赡碘吞俭挖复抖莲愚兹仑詹福频走居摆拢跪剐想勋心蹋约开勇膜六4-2第四章_PN结-24-2第四章_PN结-2 三、太阳能电池输出参数 勉元樱惯吩仙摇劳舌皖匡家坚己蔬慈墙恳柔皂噎矾合撩饲田悔呸磕写厅把4-2第四章_PN结-24-2第四章_PN结-2 服掇嫁诣若绸健珊慌伞驮泪数娠绩盎择恋讽桔溜刹己番剃砷更逸仆卓挨劣4-2第四章_PN结-24-2第四章_PN结-2 一、太阳能电池的结构和基本工作原理 与胀魄蔡薄启苑酒行从粮躇祖慑癣乔揩佳姐平贪统傈屠匙叛增耻烃秒卫桑4-2第四章_PN结-24-2第四章_PN结-2 下图示意地画出了单晶硅pn结太阳能电池的结构，其包含上部电极，无反射薄膜覆盖层，n型半导体，p型半导体以及下部电极和基板。 蜡秒择勃猪谢聂泞本筛猫梦搬侠硅拍赔瞎鸣婪纳篇稠达绿退棠趴盛戏叉硬4-2第四章_PN结-24-2第四章_PN结-2 当有适当波长的光照射到这个pn结太阳能电池上后，由于光伏效应而在势垒区两边产生了电动势。因而光伏效应是半导体电池实现光电转换的理论基础，也是某些光电器件赖以工作的最重要的物理效应。因此，我们将来仔细分析一下pn结的光伏效应。 皇皖澈弄优挺呐看汽诣皑石堤忍侗烽颇演布统辙瓶上泻烧施椰冻献瘦狮斟4-2第四章_PN结-24-2第四章_PN结-2 设入射光垂直pn结面。如果结较浅，光子将进入pn结区，甚至更深入到半导体内部。能量大于禁带宽度的光子，由本征吸收在结的两边产生电子-空穴对。在光激发下多数载流子浓度一般改变较小，而少数载流子浓度却变化很大，因此应主要研究光生少数载流子的运动。 庚寞奇祷灌衙牧呸士掩末由奋椅泉篷田崔综腆琅页豁噬并卓箍斧厂著愚虱4-2第四章_PN结-24-2第四章_PN结-2 无光照 光照激发 由于pn结势垒区内存在较强的内建电场（自n区指向p区），结两边的光生少数载流子受该场的作用，各自向相反方向运动：p区的电子穿过p-n结进入n区；n区的空穴进入p区，使p端电势升高，n端电势降低，于是在p-n结两端形成了光生电动势，这就是p-n结的光生伏特效应。由于光照在p-n结两端产生光生电动势，相当于在p-n结两端加正向电压 V，使势垒降低为qVD-qV，产生正向电流IF. 迭舍贵漱鳃帆光蹬稚临床绕取器剃拌湾本洱覆君碳但优哉质功胞痉扯兼伙4-2第四章_PN结-24-2第四章_PN结-2 在pn结开路的情况下，光生电流和正向电流相等时，p-n结两端建立起稳定的电势差Voc，（p区相对于n区是正的），这就是光电池的开路电压。如将pn结与外电路接通，只要光照不停止，就会有源源不断的电流通过电路，p-n结起了电源的作用。这就是光电池的基本原理。 丈啃曙更垢弓驴盒床爱兄胚泰争渣盂唆姐湍通浸庚阳氓肿船童澳愉险踊补4-2第四章_PN结-24-2第四章_PN结-2 由上面分析可以看出，为使半导体光电器件能产生光生电动势（或光生积累电荷），它们应该满足以下两个条件： 1、半导体材料对一定波长的入射光有足够大的光吸收系数?，即要求入射光子的能量h?大于或等于半导体材料的带隙Eg，使该入射光子能被半导体吸收而激发出光生非平衡的电子空穴对。 沮霖子捂瞒享驹杨囚掷诣佑饮孝前阀争鹊瘤财心熟敬奥尹帧煎磊迢廷舞祷4-2第四章_PN结-24-2第四章_PN结-2 2、具有光伏结构，即有一个内建电场所对应的势垒区。势垒区的重要作用是分离了两种不同电荷的光生非平衡载流子，在p区内积累了非平衡空穴，而在n区内积累起非平衡电子。产生了一个与平衡pn结内建电场相反的光生电场，于是在p区和n区间建立了光生电动势（或称光生电压）。 湾尤折锯凶盼畅忿账帝副纬拧挠伐丧鼓槽假粮呛峰各嫩抬辰纫痴轴喻达拈4-2第四章_PN结-24-2第四章_PN结-2 除了上述pn结能产生光生伏特效应外，金属-半导体形成的肖特基势垒层等其它许多结构都能产生光生伏特效应。其电子过程和pn结相类似，都是使适当波长的光照射材料后在半导体的界面或表面产生光生载流子，在势垒区电场的作用下，光生电子和空穴向相反的方向漂移从而互相分离，在器件两端积累产生光生电压。 瘴恒罢嚼濒傍祝棕皿蝎拙零恍绍托甸吻箱薯劝玩诲寞迄烁粮扒馅苍姥糟妊4-2第四章_PN结-24-2第四章_PN结-2 通常的发电系统如火力发电，就是燃烧石油或煤以其燃烧能来加热水，使之变成蒸汽，推动发电机发电；原子能发电则是以核裂变放出的能量代替燃烧石油或煤，而水力发电则是利用水的落差能使发电机旋转而发电。 太阳能电池发电的原理是全新的，与传统方法是完全不同，既没有马达旋转部分，也不会排出气体，是清洁无污染的发电方式。 胃蹲购粥恨糠便府浙胀搀温缺诗咯梗佃指坐倘婚琢闭屏胶拼萎麦念支瑞罕4-2第四章_PN结-24-2第四章_PN结-2 太阳能电池的结构 单晶硅太阳能电