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8.3.4 RAM组件及其连接 1 2 3 4 5 6 7 8 9 18 17 16 15 14 13 12 11 10 A2 A1 A0 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 CS GND VCC D3 D2 D1 D0 R / W RAM 2114 管脚图 2 3 4 5 6 7 8 9 10 23 22 21 20 19 18 17 16 15 A0 A1 D0 A3 A4 A5 A6 A9 A10 CS GND VCC D3 D2 D1 D4 RAM 6116 管脚图 A2 A7 1 11 12 14 13 24 A8 D5 D6 D7 RD WR 一、扩大 RAM( 如2114 )的位数 要达到这个目的方法很简单，只要把各片地址线对应连接在一起，而数据线并行使用即可，示范接线如下图： D7 A9 A0 R/W CS D1 D3 D2 D0 A9 A0 R/W CS D1 D3 D2 D0 . . . . . . D6 D5 D4 D1 D3 D2 D0 . . . CS R/W A0 A9 2114 (1) 2114 (2) 用(两片2114) 1024 × 4 构成 1024 × 8 二、 增加 RAM( 如2114 )的字数 通过用1024×4 ( 4片2114 ) 构成4096×4为例，介绍解决这类问题的办法。 (1) 访问4096个单元，必然有 12 根地址线； (2) 访问 RAM2114，只需 10 根地址线，尚余 2根地址线 ； (3) 设法用剩余的 2根地址线去控制4个2114的片选端 。 思路： CS R/W A9 A0 D2 D1 D0 D3 CS R/W A9 A0 D2 D1 D0 D3 CS R/W A9 A0 D2 D1 D0 D3 CS R/W A9 A0 D2 D1 D0 D3 2 4 译码器 A11 A10 A0 A9 D3 D2 D1 D0 2114 (1) 2114 (2) 2114 (3) 2114 (4) R/W Y0 Y3 A11 A10 选中片序号 对应的存储单元 0 0 1 1 2114(1) 2114(2) 2114(3) 2114(4) 0000 ~ 1023 1024 ~ 2047 2048 ~ 3071 3072 ~ 4095 0 1 1 0 * 电子技术 第八章 半导体存储器 数字电路部分 第八章 半导体存储器 §8.1 概述 §8.2 只读存储器( ROM ) §8.3 读写存储器( RAM ) §8.1 概述 半导体存储器是由半导体器件构成的大规模集成电路,专门用来存放二进制信息的,是任何数字电路不可缺少的一部分. 按所用半导体器件的不同,半导体存储器分为: 1.双极型-----工作速度快,在微机中作高速 缓存 2.MOS型-----功耗小,因而集成度高.用于大容量存储,如微机中的内存条 (Ultra violet) 1. 只读存储器 Read Only Memory 按存取方式半导体存储器可分为: 1) ROM 2) PROM------programmable 3) EPROM UVEPROM (Erasable) E2PROM (Electrically) 信息可长期保存,断电也不丢失 2.随机存取存储器 Random Access Memory RAM 1) SRAM 静态 随机存取存储 器 (static) 2) DRAM 动态随机存储存取器 (Dynamic) 任何时刻对任何单元都能直接写入或读出 二进制信息,断电后信息就丢失。 3. 顺序存取存储器 Sequential Access Memory SAM FIFO First in First out FILO First in Last out 顺序存取存储器的特点是先入先出或先入后出 §8.2 只读存储器( ROM ) 只读存储器在工作时其存储内容是固定不变的，因此，只能读出，不能随时写入，所以称为只读存储器。 8.2.1 ROM的基本结构及工作原理 ROM主要组成部分： 1. 地址译码器 2. 存储矩阵 3. 输出电路。 Read Only Memory . . . A1A0 A1A0 A1A0 A1A0 A1 A0 D3 D2 D1 D0 -VCC 译 码 器 K: 输出控制端 输出电路 存储矩阵 字线 位线 简单的二极管ROM电路 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 地 址 A1 A0 D3 D2