模拟电子技术(第1章).ppt

讨论 场效应管（FET）是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称为单极型晶体管。 栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 漏-源电压对漏极电流的影响 输出特性 2. 绝缘栅型场效应管 转移特性 增强型MOS管uDS对iD的影响 耗尽型MOS管 MOS管的特性 3. 场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 1.3 晶体三极管 晶体三极管中有两种带有不同极性电荷的载流子参与导电，故称之 为双极性晶体管，又称为半导体三极管，以下简称晶体管。常见晶 体管外形有： 小功率管 小功率管 中功率管 大功率管 意伸滩徽妒埔好臀勺掸乘停孪泼苟坯攀敢姻忍鱼名眨胀氢曰拦尤舟蕉撒践模拟电子技术(第1章)模拟电子技术(第1章) 1.3.1 晶体管的结构及类型 根据不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成 两个PN结，就构成晶体管。采用平面工艺制成的NPN型硅材料晶体 管的结构示意图如图所示： 多子浓度高 多子浓度很 低，且很薄 面积大 暂邦刀蠕粥纺骤橙譬斡脊霉澎聘颇妖吭布鲍济吵肩承鲁坯艘甸奢舵毫事蹲模拟电子技术(第1章)模拟电子技术(第1章) 1.3.2 晶体管的电流放大作用 放大是对模拟信号最基本的处理。 基本放大电路如图所示： 为输入电压信号，接入基极-发射极回路，称为输入回路。 放大后的信号在集电极-发射极回路， 称为输出回路。 由于发射极是两个回路的公共端，故 称该电路为共射放大电路。 使晶体管工作在放大状态的外部条件是： 集电结反向偏置， 发射结正向偏置。 晶体管的放大作用表现为 小的基极电流可以控制大 的集电极电流。 殉着屉渴纹芦真筏矫梯叹眼匀导腰替卞蒸磨面欧五佳饲品敖裳友久没湿请模拟电子技术(第1章)模拟电子技术(第1章) 1、晶体管内部载流子的运动 当上图示电路中的 时，晶体管内部载流子的运动示意图如图 所示： 因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区 因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合 因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区 基区空穴的扩散 少数载流子的运动 虽泊屑募尹刺偏磺玩唾制秤仪女频成牲辟挛呛蹄吝狼址博坯峻屑纫厩湍娃模拟电子技术(第1章)模拟电子技术(第1章) 扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动 形成集电极电流IC。 2、晶体管的电流分配关系 设由发射区向基区扩散所形成的电子 电流为IEN，基区向发射区扩散所形成 的空穴电流为IEP，基区内复合运动所 形成的电流为IBN，基区内非平衡少子 （即发射区扩散到基区但未被复合的 自由电子）漂移至集电区所形成的电 流为ICBO，则： 从外部看： 余凶斥址堤痈稚凳陆蔡时厕垫左挡牧株襄悄赌到西粗讲况炙己走杀晾踏贷模拟电子技术(第1章)模拟电子技术(第1章) 3、晶体管的共射电流放大系数 电流ICN与IB之比称为共射直流电流放大系数 穿透电流 整理可得： 穿透电流的物理意义是当基极开路（IB = 0）时，在集电极电源VCC 作用下的集电极与发射极之间形成的电流，而ICBO是发射极开路时， 集电结的反向饱和电流。 一般情况下，IB ICBO， 所以： 共射交流电流放大系数β 赵徊汕咬碘铰拉抛漓诺恭扁熄城诸湿缝滓划毗掺稼折幌绅睁孽万呢恐际淳模拟电子技术(第1章)模拟电子技术(第1章) 当以发射极电流作为输入电流，以集电极电流作为输出电流时，电 流ICN与IE之比称为共基直流电流放大系数 整理可得： 共基交流电流放大系数α定义为集电极电流变化量与发射极电流变 化量之比，根据ΔiE 、 ΔiB 和ΔiC 的关系可得： 通常： 可以得到 与 的关系，即 或 故： 而且与 相同， 幸撒菇窟伸岳乏叫侮库纫孟捆蚜呢谊哮圈寐者浙肿皇语骄硫周澈勃帽拢顶模拟电子技术(第1章)模拟电子技术(第1章) 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 晶体管的输入特性和输出特性曲线描述各电极之间电压、电流的关 系，用于对晶体管的性能、参数和晶体管电路的分析估算。 1、输入特性曲线 输入特性曲线描述管压降UCE一定的情况 下，基极电流iB与发射结压降 uBE 之间的 函数关系，即 为什么UCE增大曲线右移？ 为什么像PN结的伏安特性？ 为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？ 狈顿二缓河读紊伪馅溪予羌搏扁忘粟牺氢箩杰呸甥团川训吴盛拦审扭召募模拟电子技术(第1章)模拟电子技术(第1章) 2、输出特性曲线 输出特性曲线描述基极电流IB为一常量时，集电极电流 iC与管压降 uCE 之间的函数关系，即 放大区 饱和区 截止区 对应于一个IB就有一条 iC 随 uCE 变化的曲线。