量子尺寸效应.pptVIP

Synthesis of Several Metal Nitrides and Their Applications Wan Jun 当体系的尺度可以与电子波长相比拟时，就会产生量子效应，由此引发了量子结构材料与器件的发展。量子结构材料与器件是近年来光电信息功能材料与器件研制的一个前沿，它的迅速发展是由信息技术等应用需求和材料制备技术发展所决定的。 随着在纳米精度上的材料与器件的制备作技术的发展，尤其是分子束外延技术(MBE)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术被广泛地用于人工半导体微结构制作，实际可控特征尺寸已精确到了生长方向上的单个原子层，极大地推动了量子结构材料与器件的发展。 背景 量子尺寸效应(Quantum Size Effect)是指微结构材料的三维尺度中至少有一个与电子的德布罗意波长或激子波尔半径相当时，与体材相比，电子失去该方向上的自由度，电子态呈现量子化分布，表现出费米能级附近的电子能级由准连续变为离散能级或者能隙变宽的现象。 当材料某一维度的尺寸小到可与电子的德布洛意波长或激子玻尔半径相当时，电子和空穴在该方向上的运动受到限制，与体材相比，电子失去该方向上的自由度，这样的体系称为低维体系，由于这些低维体系呈现出量子化的特征，被称为量子结构。 原理 具有不同维度材料的结构及其态密度分布图 示意图画出了体材料和低维材料的结构及其态密度分布图。低维体系包括2维、1维和0维体系，分别在一、二、三个方向上对电子进行限制，由此衍生出超晶格和量子阱、量子线、量子点等低维结构。在低维体系中，电子的局域性和相干性增强，宏观固体的准连续能带消失了，出现分立的能带或能级，这使得低维体系的光、热、电、磁等物理性质与体材料不同。许多新奇的物理性质在这些体系中被不断的揭示出来，因此近年来低维体系的研究越来越受到重视。 下面以量子阱结构中CdTe激子特性为例，简单说明量子尺寸效应。下图给出了不同阱宽的CdTe量子阱结构中激子束缚能和激子波尔半径的理论计算结果。可看出随着无限深势阱宽度的减小，量子尺寸效应逐渐明显，激子束缚能增大，激子波尔半径减小。当阱宽小于5nm时，激子束缚能将大于室温电离能（26meV）。除了激子效应存在明显的量子效应外，半导体的禁带宽度也随着材料的尺寸减小而增大。由于量子效应的引入，量子结构的磁光声热电及超导特性都会受到量子尺寸效应的不同影响。 不同阱宽的CdTe量子阱结构中激子束缚能（a）和激子波尔半径（b）的理论计算结果