半导体硅材料基础知识.2.ppt

Maquette 半导体硅材料基础知识讲座 李本成 2007/06/25 目录 七、半导体的主要电性能参数及其测量方法 八、硅中的杂质及其测量方法 半导体的主要电学参数及其测量方法 1、导电类型： N型半导体：掺有施主杂质、以电子为多数载流子的半导体 P型半导体：掺有受主杂质、以空穴为多数载流子的半导体 本征半导体：完全不含杂质和缺陷、导电机构仅由晶体本身 能带结构所决定，体内电子和空穴浓度相等的半导体。 导电类型的测量方法： （1）冷探针法 （2）热探针法 （3）整流法 （4）霍尔效应法 2、电阻率： 是指单位长度（1cm）、单位面积（1cm2)下物体的电阻值。电阻率直接反应其导电能力的大小，某一物体的电阻率是它的电导率的倒数。在一定的温度条件下，半导体材料的电阻率直接反应了材料的纯度。 半导体材料电阻率的测量方法： （1）二探针法 （2）四探针法 （3）扩展电阻法 （4）范德堡法 （5）涡流法 （6）光电压法 3、载流子浓度： 在一定的温度条件下，内部处于热平衡的半导体中，电子和空穴的浓度基本保持一定，此时的电子及空穴的浓度就叫作平衡载流子浓度。 载流子浓度的测量方法： （1）三探针击穿电压法 （2）微分电容法 （3）二次谐波法 （4）红外等离子反射光谱法 （5）红外吸收法 4、迁移率： 当我们对半导体加上外加电场时，载流子在电场中作漂移运动。在低电场下，载流子的漂移速度与电场强度成正比。在单位电场强度作用下，载流子获得的漂移速度就叫做载流子的迁移率。 载流子的迁移率与半导体中的杂质浓度、缺陷密度及温度有关，在室温下，迁移率随杂质浓度或缺陷密度的增加而减小。 迁移率的测量方法： （1）漂移迁移率（适合于低阻材料少子迁移率测量） （2）电导迁移率 （3）霍尔迁移率 （4）磁阻迁移率 5、补偿度： 补偿是指半导体中施主杂质与受主杂质在电学上互相抵消的现象，而补偿度是指材料中等效反型杂质浓度与控制杂质浓度之比。通常情况下，当施主杂质浓度和受主杂质浓度相差不到1000倍时，则认为该材料是补偿的。 补偿度的大小直接反应了半导体材料的质量，某些特殊用途的高阻单晶硅就要求低补偿。 补偿度的测量方法： 补偿度的测量需要采用能同时确定两种杂质的浓度或直接测定其比值的方法，目前确定补偿度的方法大都是根据实验结果经过一定的数据处理而得到的，如采用“载流子浓度与温度关系分析法”、“迁移率分析法”、“经验曲线分析法”等。 6、少子寿命： 所谓少子寿命是指半导体中非平衡少数载流子平均存在的时间长短，单位是μs（1微秒是10-6秒）。所谓非平衡载流子是指当半导体中载流子的产生与复合处于平衡状态时，由于受某种外界条件的作用，如受到光线照射时而新增加的电子——空穴对，这部分新增加的载流子叫作非平衡载流子。 当光照停止后，这些非平衡载流子并不是立即全部消失，而是逐渐被复合而消失，它们存在的平均时间就叫作非平衡载流子的寿命。 少子寿命的长短反映了半导体材料的内在质量，如晶体结构的完整性、所含杂质以及缺陷的多少，硅晶体的缺陷和杂质往往是非平衡载流子的复合中心。 少子寿命的测量方法： （1）直流光电导衰减法；（2）高频光电导衰减法； （3）微波光电导衰减法； （4）表面光电压法 ； （5）光电流法； （6）电子束感生电流法； （7）MOS电容法。 1、硅中的氧： 硅中氧含量的高低是硅材料质量好坏的重要指标，硅中氧的引入是多晶原料或CZ工艺中从石英坩埚的SiO2进入的。多晶原料里的氧主要是在生产多晶硅时使用的原料（如氢气中的H2O、O2）引入的。一般要求多晶硅中的氧含量≤1×1018原子个数/CM3（≤1ppma）。 单晶硅中的氧多以间隙氧的形式存在。过饱和的间隙氧会在晶体中偏聚、沉淀而形成氧施主、氧沉淀及二次缺陷（热施主、新施主），这将对半导体器件的性能带来不良影响。 硅中氧的测定： （1）红外吸收光谱法；（2）化学腐蚀法； （3）光散射法； （4）小角度中子散射法； （5）电子损失能谱法；（6）透射电镜法； （7）扫描电镜法。 2、硅中的碳： 硅中的碳含量也是表征硅材料质量的重要参数。硅中碳的引入主