存储器基础知识.pptVIP

PCA T/S Department Public Training 　存储器在最近这几年随着便携式产品的发展，有了许多不同的面貌与空间，在终端产品轻、薄、短、小的要求之下，半导体存储技术自然脱颖而出。 　高科技产业之所以兴盛，相当重要的原因之一便是数字技术所具有的存储和拷贝功能，我们在将复杂的模拟信号转换为简单的数字信号时，由于只有0和1的信息，因此在存储数据的时候，只要把具有正负两种特性的物质加以利用就可以了，最明显的就是利用磁性物质的磁场做成的硬磁盘。 　目前数字存储技术主要分成三种：磁式、光电式和半导体式，本文主要探讨的是半导体式的储存技术，不过半导体存储技术基本上又分为挥发性(Volatile)与非挥发性(Non-volatile)两种，挥发性存储器技术较为成熟，也是目前半导体存储技术的主流，包括DRAM、SRAM等都是；而非挥发性存储器技术包括过去的掩膜ROM、EPROM、EEPROM、Flash(快闪)、以及新兴的FRAM(铁电存储器)、MRAM(磁性存储器)与OUM(相变存储器)等。 　所谓挥发与非挥发的差别在于挥发性存储器在电性消失后，存储的数据便消失，但是非挥发性存储器在电性消失后，仍然能够将数据保存下来，近年来由于便携式电子产品的发展，磁式和光电式的存储元件无法满足轻、薄、短、小的要求，所以半导体存储技术尤其是非挥发性存储技术的成长相当迅速。 　非挥发性、存取速度快、成本低、制程简单、数据存储密度高、耗电量低和可无限擦写等特性，是未来存储器技术所必须具备的要点 。 成熟的Flash存储器 　Flash的架构大致上可分为具程序执行能力的NOR架构以及储存数据的NAND和AND架构，Flash与其它新兴非挥发性技术相较，最大的优势在于其可以用一般的半导体制程生产、成本低，但是其读写速度较DRAM慢，可擦写次数也有极限，加上在进入纳米制程之后，预期将会碰到物理极限，据业界人士表示Flash在45nm以下几乎不可能再有发展，所以尽管在短期内Flash依然会是非挥发性存储器主流，但地位可能不见得稳固。 NOR Flash存储器 　NOR Flash市场目前由Intel和AMD公司主导，其主要功能是程序的储存，如PC中的BIOS，便携式产品像手机、PDA的快速成长是带动近年来NOR Flash快速成长的主要原因，除了量的提升之外，也包括了高容量产品的需求。NOR Flash尽管近两年成长不如NAND Flash，但是两者原本的市场应用要求就不同，NOR Flash因为新兴应用所带来的成长还是相当可观。 NAND和AND Flash存储器 　以储存数据为主要功能的NAND和AND Flash，是目前市场上最当红的存储器，近两年来的新兴应用都以此技术为主，包括小型存储卡、随身电子盘等都是。 　在技术方面，数据型Flash为提高数据存储密度，也发展MLC(多重单元)架构， FRAM存储器 　FRAM (Ferroelectric RAM)铁电存储器的耗电量极低，可擦写次数也无限大，FRAM的架构为Perovskite结晶，最能代表铁电存储器的薄膜材料为PZT，位于结晶中心的锆和钛的原子会随外部的电场变化位置，即使除去电性也能维持。 　FRAM由于在高密度的发展上不甚顺利，所以目前许多厂商都先由嵌入式应用切入，例如IC芯片卡，此类产品需求的存储单元不大，但是FRAM的低耗电特性却可以与其相得益彰，所以各类嵌入式应用或许会成为FRAM未来主要的应用市场。 MRAM存储器 　MRAM (Magneto-resistive RAM)磁电阻式存储器的技术原理简单的说就是利用电阻在磁场下的变化，磁电阻变化的比例越高，代表存储元件的电子外围发展技术越简单并更具市场竞争性。 　纵观目前记录媒体的物理读写机制可以发现，当记录密度达1000Gb/in2以上时，只有磁的读写物理极限还存在，MRAM因为采用磁性材料为记录媒体，理论上有更高的记录密度，而且读和写是用与DRAM相类似的机构，因此不像需要读写头的硬盘机来得复杂和精密。 OUM存储器 　OUM (Ovonic Unified Memory)相变存储器是由Intel所提出的非挥发性存储器技术，目前发展的状况还停留在实验室阶段，其原理是利用Ge、Sb、Te等硫系化合物为材质的薄膜来存储资料，数据存储方式类似CD-ROM，利用温度造成的相位变化来存储数据。 　OUM的优点在于产品体积较小、成本低、可直接复写且制程简单，也就是在写入数据的时候不用将旧有数据擦除，制程与现有半导体制程相近，惟读写速度和次数不如FRAM和MRAM；另外，如何稳定维持其驱动温度也是一个技术发的重点。 未来的存储器 　从多角度来看存储器或存储元件，不难发现它是逻辑元件与感测元件之间的一种媒介，