霍尔效应及其应用.docVIP

4.6 霍尔效应及其应用 实验简介霍尔效应1879年和曲线。 确定试样的导电类型、载流子浓度以及迁移率。 实验原理 如果在一块矩形半导体薄片上沿X轴方向通以电流，在Z轴方向上加磁场B，则在垂直于电流和磁场的方向（即Y轴方向）上产生电势差，这一现象称为霍尔效应。称为霍尔电压。产生霍尔效应的原因是形成电流的作定向运动的带电粒子即载流子（N型半导体中的载流子是带负电荷的电子，P型半导体中的载流子是带正电荷的空穴）在磁场中所受到的洛仑兹力作用而产生的。 A/ l C/ A/ l C/ d d b b D E D E A C（NC） A（NC） C 两种形式的样品 Y A C A C + + + + + + + + + + + + X - - - - - - - - - - - - - - - - Z IS Fe IS Fe -e EH +e v EH v Fm Fm - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + A/ C/ A/ C/ N型半导体 P型半导体 一块长为、宽为、厚为的N型硅单晶薄片，置于沿Z轴方向的磁场中，沿IS方向通电流，载流子受的洛仑兹力，形成霍尔电场EH，电场力。达到动态平衡时，，即，有： （a） 霍尔电压 （b） 通过样片横截面的电流 （c） 由（a）、（b）、（c）式有： ，其中： ，称为霍尔系数，单位，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，只要测出以及知道、和，就可按公式：计算。 对于P型半导体，除霍尔电压符号不同外，其它情况相同。由的符号（或霍尔电压的正负）可判断样品的导电类型。在本实验中，和的方向为正时，若测得的（即侧面电位比侧面高），则为负，样品属于N型半导体，反之则为P型半导体。 根据可进一步可求得载流子浓度： 上式中，考虑了载流子的速度统计分布，引入了的修正因子。 对于N型半导体，指的是电子的浓度，对于P型半导体，指的是空穴的浓度。 电导率与载流子浓度n以及迁移率之间有如下关系： 电导率是电阻率的倒数，即，单位是（）。 测出值即可求出迁移率，或，单位为（）。迁移率是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，即：。 几种副效应的影响：（1）A和A/的位置难能做到在一个等势面上，从而产生附加电压V0=Isr，r为A、A/所在的两个等势面间的电阻。 A/ I