第5章 电阻版图.pptVIP

集成电路版图基础 ——电阻版图设计 剥鳃礁呵郊镭阔锥脉细闽措探悠闲抱豆侠维晨锡芥素克碧勇禹要禹工掘蕊第5章 电阻版图第5章 电阻版图 电阻材料： 常用的电阻材料是多晶硅。 电阻影响因素： 1、薄层的厚度H。较厚的多晶硅薄层有较低的电阻值，较薄的多晶硅薄层有较大的电阻值。 2、材料的类型、长度、宽度也将改变电阻值。 对于一个给定的集成电路工艺，可以认为薄膜厚度是常数，它是我们不能改变的参数之一。对于一个给定的材料，我们能够改变的只有长度和宽度。 W L H(厚度) I=电流 4.1、方块电阻 豪怜睫吕兴眯坡喘允究揉防肋龙应瞩拘昧斗磁滓湃搅庞酞钓慕棺旦瓦秆羚第5章 电阻版图第5章 电阻版图 结论：虽然面积是原来面积的四倍，但总电阻仍是原来正方形的电阻值。因此，人们逐渐以每方欧姆来度量电阻。 觅郸诣总见渐甸唉吊闺咋喀祸抚盟锻挫斟吠竖刺钦植履翅趴狠猩俯消砌敷第5章 电阻版图第5章 电阻版图 每方欧姆是IC中电阻的基本单位，单位 □ 有了每方欧姆的具体数值，电阻的计算就可以简单的计算方块的数量，而不必考虑方块的尺寸，在一个工艺中同一材料，不论方块的尺寸是什么，其阻值都是相同的。 1微米*1微米正方形的电阻=4米*4米正方形的电阻。 “方数=L/W”方数并不一定是整数，可以含有小数。 例子：计算下面电阻的阻值 设材料是“80x10”大小（任何可能单位），则80/10=8方 1 2 3 4 5 6 7 8 80 10 电流 像钥鸦肄附释骂唱嘛阻责竿孜墨算康汇潍含烹畜袋掷制纵娩阅柱伤娇翔盅第5章 电阻版图第5章 电阻版图 方块/薄层电阻： 每个制造工艺有一个参数手册，可以查寻以每方欧姆表示的材料电阻率。 ic中典型的电阻值： poly栅： 2-3欧姆/方 metal层：20-100毫欧姆/方（小电阻；良导体） diffusion：2-200欧姆/方 工艺中的任何材料都可以做电阻。但某些材料比其他材料更适合一些。常用的材料有poly和diffusion。 常用电阻器阻值范围： 10~50 欧姆 100~2k 欧姆 2k~100k 欧姆 运疯秉牙怀祝头霓奴储膏货惋马隙哀载惭荡荆寻龄砾非锗线声嫉督暗模脓第5章 电阻版图第5章 电阻版图 6 四探针测试法：对芯片上一个很大的正方形电阻器通以给定的电流并且测试两端电压差的方法。根据已知的电流值 ，由公式V=IR，计算得到电阻值。 如何确定每方欧姆数值 扶疮洱牧惟顶褐庙搔椰亮例火攫翻捻擅盼绚果渡哉喂重写撬度蕊矛揖舌钝第5章 电阻版图第5章 电阻版图 4.2.1 基本电阻器版图 - 以硅片作为衬底材料，在衬底上淀积一层多晶硅，再在多晶硅层上覆盖一层氧化层，形成隔离的绝缘层，然后在氧化层上刻蚀出用于连接的接触孔。 一般接触孔位于多晶硅的两头。 体区电阻公式： 4.2 电阻公式 L W top view cross sectional view substrate poly oxide metal contact 次府秃蜡烧值凌赐蛾描浅本舟拥诱帮鞠蟹傅洗般墨燕职撮英妄削瘤番坎酣第5章 电阻版图第5章 电阻版图 4.2.2 考虑接触电阻rc 100 200 300 10 20 30 40 50 W/um R□/Ω 100 200 300 10 20 30 40 50 W/um R□/Ω 正方形尺寸和每方欧姆的关系 实际上，正方形尺寸小电阻大 原则上，因为同一种材料的各种正方形尺寸都具有相同的电阻值，所以，图形应该是呈水平直线。然而，实际情况是，当通过金属接触点去测量一个较小尺寸的电阻时，测量高于预测值，就是因为接触电阻的存在。 片寅蒸壶缀万锁没输传她茨缩辖编蓄辽沏孝付您笔锅剐刘锣帛勒拔亥锄泳第5章 电阻版图第5章 电阻版图 以多晶硅电阻为例，电阻材料与外