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模拟电子技术试题库 一填空题 1．在常温下，硅二极管的门限（开启）电压约为 0.5V，导通后其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为 0.7 伏；锗二极管的门限电压约为 _0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻 小 ；反向电阻 大 。 3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。它的两个主要参数是反映正向特性的 最大整流电流 和反映反向特性的 反向击穿电压 。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。PN结反向偏置时，PN结的内电场 增强 。 4、稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 电阻 。 5、二极管正向偏置时，其正向导通电流由 多数 载流子的 扩散 运动形成。 6、P型半导体的多子为 空穴 、N型半导体的多子为 自由电子 、本征半导体的载流子为 电子—空穴对 。 7、 8、频率响应是指在输入正弦信号的情况下， 输出随频率连续变化的稳态响应 。 16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为 甲类 、 乙类 、 甲乙类 三种基本类型。 17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是 耦合和旁路 电容，影响高频信号放大的是 结 电容。