第1章半导体器件讲解.ppt

第1章　半导体器件 基本教学要求 1.了解导体中的两种载流子，了解N型半导体和P型半导体以及PN结的形成。 2.理解PN结的单向导电性，掌握半导体二极管的伏安特性及主要参数，掌握稳压二极管的伏安特性及主要参数。 3.理解半导体三极管的放大作用，掌握半导体三极管的输入、输出特性及主要参数。 4.理解场效应管的工作原理，掌握场效应管的输出特性、转移特性及主要参数。 小结: 电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应管等。制造这些器件的主要材料是半导体，例如硅和锗等。 半导体中存在两种载流子：电子和空穴。纯净的半导体称为本征半导体，它的导电能力很差。搀有少数其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：N型半导体——多数载流子是电子；P型半导体——多数载流子是空穴。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在二者的交界处形成一个PN结，这是制造各种半导体器件的基础。 为什么说在空间电荷区内几乎没有载流子？ 答：ＰＮ结各区所带的电荷，应由该处杂质离子与载流子电荷的总和来决定。在空间电荷区以外的Ｐ区或Ｎ区中，杂质离子的电荷被载流子电荷所补偿，总电荷等于零，所以是电中性的。在进入空间电荷区后，多数载流子（对Ｐ区是空穴，对Ｎ区是自由电子）的浓度将迅速地降低到对方区域少数载流子的浓度,就不足以完全补偿杂质离子的电荷了。必须注意到除边界以外,在大部分空间电荷区中，多数载流子的浓度很快减小以至耗尽。所以,如果忽略空间电荷区中载流子的电荷,就可以认为,空间电荷区中的总电荷密度主要由杂质离子决定。一般认为空间电荷区的电荷密度等于杂质离子的电荷密度，而载流子浓度近似为零。这种近似模型叫做耗尽层近似。空间电荷区也叫耗尽层。 实验测出的二极管外特性与二极管方程式所表示的规律有何不同？ 答：二极管伏安特性的实验值与理论计算值有不同之处。对正向特性：由于引线电阻和Ｐ区、Ｎ区体电阻的存在，实际作用在ＰＮ结上的电压比外加电压要小，所以正向电流的实际值要比理论计算值小。对反向特性：由于二极管表面漏电阻的存在，反向电流的实验值要比理论计算值大。 在用万用表测二极管的正向电阻值时,用Ω×１档测出的电阻值小,而用Ω×100挡测出的电阻值大,为什么？ 答：用万用表测出的二极管电阻值是它的直流电阻。由于二极管是非线性元件，它的电压和电流不成正比，所以通过管子的电流也不同，测出的直流电阻也不同。当用Ω×１档测量时，由于万用表的内阻小，通过二极管的电流大，管子工作在Q1点处,所以直流电阻 (VD1/ID1) 小。当用Ω×100档测量时,万用表内阻大,通过二极管的电流小,管子工作在点Q2 处,所以直流电阻(VD2/ID2)大。 在稳压管的击穿机理中,为什么UZ4V是齐纳击穿而UZ7V是雪崩击穿？三极管的发射结，发射区掺杂度高基区掺杂浓度低，如果击穿，又属于什么机理？ 答：齐纳击穿是由于空间电荷区内的强电场把半导体原子共价键内的束缚电子强行拉出，新的电子-空穴对大量涌现而发生的。掺杂浓度高的二极管，结区很窄，不太高的反向电压就能引起齐纳击穿。所以，稳定电压低 （UZ4V）时是齐纳击穿。雪崩击穿则是由于参与漂移的少子进入空间电荷区后，在电场作用下，运动速度增大，得到足够的动能，在撞击其它离子时，大量产生新的电子-空穴对。这一现象中有连锁反应，最后导致击穿。掺杂浓度低的二极管，结区较宽，少子在运动时，能获得较大的动能，导致雪崩击穿。但由于结区较宽，要产生一定的电场强度，所需反向电压也较高。所以，稳定电压UZ 7V的属于雪崩击穿。 三极管中的发射结是P+N 或 PN+ 结。这种ＰＮ结的击穿电压由掺杂浓度低的基区的掺杂情况决定，属于雪崩击穿。掺杂浓度愈低，击穿电压愈高。 如何用较简单的办法测试稳压管的极性和好坏？如何区分整流用的二极管和稳压管？ 答：在一定范围内，稳压管和二极管都有单向导电性，所以可用测二极管极性和好坏的办法来测试稳压管的极性和好坏。两者不同之处是：稳压管的反向击穿电压比较低（几伏到十几伏），而二极管的反向击穿电压都在50V以上。所以，如果万用表的欧姆档内接有15V或22.5V的电池，用高阻档（此时所接电池为15V或22.5Ｖ）测一个管子的反向电阻时电阻很小，而改用低阻档（此时欧姆档所接电池只有1.5V或3Ｖ）时，反向电阻很大，这个管子可能就是稳压管。 两个硅稳压管，VZ1=6V，VZ2=9V。把两者串联时可得到几种稳压值？把两者并联时又如何？ 答：稳压管实际上只是特殊制造的二极管。工作在反向击穿时，它两端的反向电压就是稳定电压。在正向电压下工作时，它两端的正向电压仍为0.7V（指硅管）。所以，如果把两个稳压管串联，由于有四种接法（每个管子可以正