微机原理第五章.pptxVIP

第5章 存储器系统学习要求：存储器分类、组成及功能。位扩充与地址扩充技术。理解存储器与CPU的连接方法了解内存条技术的发展理解存储器系统的分层结构理解虚拟存储技术及高速缓存Cache技术静态 SRAM动态 DRAM按存放信息原理不同随机存取存储器RAM(Random Access Memory) 掩膜ROM（MROM）可编程ROM（PROM）可擦除编程ROM（EPROM）电擦除PROM（EEPROM）闪存 Flash（NOR Flash，NAND Flash）按工艺不同只读存储器ROM (Read-Only Memory) 5.1 存储器的分类与组成5.1 存储器的分类与组成存储体存储0和1信息的电路实体半导体存储器的组成地址选择电路地址线为n，地址单元数为N，需要 译码电路选择存储体读写电路与控制电路包括控制电路和读写放大器5.2 随机存取存储器5.2.1 静态随机存取存储器5.2.1 静态随机存取存储器静态RAM读写过程1）读出过程（1） 地址码→ RAM芯片的地址输入端→ X与Y地址译码器译码，产生行选与列选信号，选中某一存储单元，该单元中存储的代码，将出现在I/O电路的输入端。I/O电路对读出的信号进行放大、整形，送至输出缓冲寄存器。缓冲寄存器一般具有三态控制功能，没有开门控制信号，所存数据还不能送到数据总线DB上。（2） 在送上地址码的同时，还要送上读／写控制信号和片选信号。静态RAM读写过程2）写入过程（1）同上述读出过程（1），先选中相应的存储单元，使其可以进行写操作。（2）将要写入的数据放在DB上。（3）加上片选信号及写入信号。这两个有效控制信号打开三态门使DB上的数据进入输入电路，送到存储单元的位线上，从而写入该存储单元。5.2.1 静态随机存取存储器静态RAM芯片有 2114,2142,6116,6264,62256，68512,6281024右图所示为6116芯片引脚图5.2.1 静态随机存取存储器5.2.1 静态随机存取存储器5.2.2 动态随机存取存储器5.2.2 动态随机存取存储器5.2.2 动态随机存取存储器动态RAM 动态RAM的位数都是1位；动态RAM的地址引脚只是实际地址线的一半。为保证地址正确读入，有行、列地址控制输入CAS和RAS，控制输入有效时，分别读入一半地址。2164是64K×1位RAM。5.3 只读存取存储器5.3 只读存取存储器5.3 只读存取存储器EPROM芯片常用的有：2716（2K×8）2732（4K×8）2764（8K×8）27128（16K×8）27256（32K×8）27512（64K×8）等。5.3 只读存取存储器Intel 2732A是一种4K×8?b的EPROM 12条地址线A11～A08条数据线O7～O0。 为芯片允许信号，用来选择芯片； 为输出允许信号，用来把输出数据送上数据线，只有当这两条控制线同时有效时，才能从输出端得到读出的数据。 5.3 只读存取存储器 CB控制总线一般考虑CS、WE、RD、M/IO及相应的控制逻辑。5.4 存储器的扩充及其与CPU的连接 把握要领---紧扣三总线 AB 地址总线与容量对应；均经锁存器与M全部对应相连接。 DB数据总线根据4、8位不同，分别与高8位或低8位对应连接。 CPU与存储器连接示意5.4 存储器的扩充及其与CPU的连接综合考虑的因素1）CPU总线的带负载能力 可加驱动器或缓冲器2）速度匹配与时序控制 尽量选快速芯片3） 数据通路匹配 存储器以字节为单位，16位或32位数据需要放在连续的几个内存单元中，称为“字节编址结构”。（奇、偶体）4）合理的内存分配 分为ROM区和RAM区5.4.1 存储器的扩充 1.位数扩充 ★用多块存储器芯片重叠使用。并成一个字节或字长的存储体。 ★主要是数据线按位排列，存放数据的某个对应位，并行连接到CPU的数据线上。 ★组内每片的地址线、控制线并在一起；再与CPU的相应信号线连接。●N×1位芯片，扩展N个字节，用8片并列成一组；●1K×4位芯片，扩展1KB,要用2片并列成一组。5.4.1 存储器的扩充 1.位数扩充 1.位数扩充5.4.1 存储器的扩充2.地址的扩充：5.4.1 存储器的扩充组1组2组3组4扩展容量256B×4组=1KB（组内256×4位×2片）要领：各位组地址线、数据线、读写控制线横向延伸串联。片选线经译码器分别连接！ 每只芯片均有一条片选线CS(CE)，选通芯片。5.4.1 存储器的扩充地址线位数扩展及地址分配扩展多芯片时解决2 个问题：◆片内地址：由存储器芯片上地址线编码决定。 ◆芯片选择：在芯片地址线位数的基础上扩展地址线，并由扩展线控制芯片的片选CS扩展线位数n 与扩展芯片N的关系为 2n= N5.4.1