微机原理与接口技术(清华大学课件-全套).ppt

* 1. 特点 可多次编程写入； 掉电后内容不丢失； 内容的擦除需用紫外线擦除器。 * 2. EPROM 2764 8K×8bit芯片 地址信号：A0 —— A12 数据信号：D0 —— D7 输出信号：OE 片选信号：CE 编程脉冲输入：PGM 其引脚与SRAM 6264完全兼容. * 2764的工作方式 数据读出 编程写入 擦除 标准编程方式 快速编程方式 编程写入： 每出现一个编程负脉冲就写入一个字节数据 * 二、EEPROM * 1. 特点 可在线编程写入； 掉电后内容不丢失； 电可擦除。 * 2. 典型EEPROM芯片98C64A 8K×8bit芯片； 13根地址线（A0 —— A12）； 8位数据线（D0 —— D7）； 输出允许信号（OE）； 写允许信号（WE）； 选片信号（CE）； 状态输出端（READY / BUSY）。 * 3. 工作方式 数据读出 编程写入 擦除 字节写入：每一次BUSY正脉冲写 入一个字节 自动页写入：每一次BUSY正脉冲写 入一页（1~ 32字节） 字节擦除：一次擦除一个字节 片擦除：一次擦除整片 * 4. EEPROM的应用 可通过程序实现对芯片的读写； 仅当READY / BUSY=1时才能进行“写”操作 “写”操作的方法： 根据参数定时写入 通过判断READY / BUSY端的状态进行写入 仅当该端为高电平时才可写入下一个字节。 P215例 * 四、闪速EEPROM 特点： 通过向内部控制寄存器写入命令的方法来控制芯片的工作方式。 * 全地址译码例 A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 ?1 CS1 1 SRAM 6264 CS2 +5V 0 1 1 1 1 0 0 0 * 6264芯片全地址译码例 片首地址 A19 A12 A0 A19 A12 A0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 片尾地址 该6264芯片的地址范围 = F0000H~F1FFFH * 全地址译码例 若已知某SRAM 6264芯片在内存中的地址为： 3E000H～3FFFFH 试画出将该芯片连接到系统的译码电路。 * 全地址译码例 设计步骤： 写出地址范围的二进制表示； 确定各高位地址状态； 设计译码器。 片首地址 A19 A12 A0 A19 A12 A0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 片尾地址 * 全地址译码例 A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 ?1 CS1 高位地址：0011111 SRAM 6264 CS2 +5V 0 0 1 1 1 1 1 0 * 部分地址译码 用部分高位地址信号（而不是全部）作为译码 信号，使得被选中存储器芯片占有几组不同 的地址范围。 * 部分地址译码例 两组地址： F0000H —— F1FFFH B0000H —— B1FFFH A19 A17 A16 A15 A14 A13 ?1 6264 CS1 1 1 1 0 0 0 高位地址： 1×11000 1011000， 1111000 * 应用举例 将SRAM 6264芯片与系统连接，使其地址范围为：38000H~39FFFH。 使用74LS138译码器构成译码电路。 * 存储器芯片与系统连接例 由题知地址范围： 0 0 1 1 1 0 0 0 … … … 0 0 0 1 1 1 0 0 1 … … … 1 高位地址 A19 A12 A0 * 应用举例 D0~D7 A0 A12 ? ? ? WE OE CS1 CS2 ? ? ? A0 A12 MEMW MEMR D0~D7 A19 G1 G2A G2B C B A A18 A14 A13 A17 A16 A15 VCC Y0 * 二、动态随机存储器DRAM * 1. DRAM的特点 存储元主要由电容构成； 主要特点： 需要定时刷新。 * 2. 典型DRAM芯片2164A 2164A：64K×1bit 采用行地址和列地址来确定一个单元； 行列地址分时传送， 共用一组地址信号线； 地址信号线的数量仅 为同等